БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPA65R190C6XKSA1

    IPA65R190C6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

    Infineon Technologies

    2,029
    IPA65R190C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 3.5V @ 730µA 73 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R190CFDXKSA1

    IPA65R190CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

    Infineon Technologies

    4,081
    IPA65R190CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 730µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R310CFDXKSA1

    IPA65R310CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

    Infineon Technologies

    4,316
    IPA65R310CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R420CFDXKSA1

    IPA65R420CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

    Infineon Technologies

    7,340
    IPA65R420CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 340µA 32 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 31.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R600C6XKSA1

    IPA65R600C6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

    Infineon Technologies

    5,753
    IPA65R600C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPA65R660CFDXKSA1

    IPA65R660CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 6A TO220

    Infineon Technologies

    4,745
    IPA65R660CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 27.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-111
    IPI110N20N3GAKSA1

    IPI110N20N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3

    Infineon Technologies

    4,466
    IPI110N20N3GAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 88A (Tc) 10V 11mOhm @ 88A, 10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V 7100 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI320N20N3GAKSA1

    IPI320N20N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3

    Infineon Technologies

    6,097
    IPI320N20N3GAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 34A (Tc) 10V 32mOhm @ 34A, 10V 4V @ 90µA 29 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 100 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI50R299CPXKSA1

    IPI50R299CPXKSA1

    MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

    Infineon Technologies

    7,088
    IPI50R299CPXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 440µA 31 nC @ 10 V ±20V 1190 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI530N15N3GXKSA1

    IPI530N15N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

    Infineon Technologies

    7,150
    IPI530N15N3GXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 8V, 10V 53mOhm @ 18A, 10V 4V @ 35µA 12 nC @ 10 V ±20V 887 pF @ 75 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI65R110CFDXKSA1

    IPI65R110CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262-3

    Infineon Technologies

    4,485
    IPI65R110CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI65R190CFDXKSA1

    IPI65R190CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3

    Infineon Technologies

    6,974
    IPI65R190CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 730µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI65R310CFDXKSA1

    IPI65R310CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262-3

    Infineon Technologies

    3,417
    IPI65R310CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI65R420CFDXKSA1

    IPI65R420CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262-3

    Infineon Technologies

    2,162
    IPI65R420CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 340µA 32 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI65R600C6XKSA1

    IPI65R600C6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3

    Infineon Technologies

    6,560
    IPI65R600C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPI65R660CFDXKSA1

    IPI65R660CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3

    Infineon Technologies

    8,317
    IPI65R660CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    IPP100N04S4H2AKSA1

    IPP100N04S4H2AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1

    Infineon Technologies

    3,903
    IPP100N04S4H2AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 100A, 10V 4V @ 70µA 90 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP120N04S401AKSA1

    IPP120N04S401AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1

    Infineon Technologies

    8,563
    IPP120N04S401AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 4V @ 140µA 176 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP65R110CFDXKSA1

    IPP65R110CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,109
    IPP65R110CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP65R190CFDXKSA1

    IPP65R190CFDXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,855
    IPP65R190CFDXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 730µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.