БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRLL024ZPBF

      IRLL024ZPBF

      MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

      Infineon Technologies

      		 8,902
      Запрос на предложение
      		IRLL024ZPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 11 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
      IRF8721PBF

      IRF8721PBF

      MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

      Infineon Technologies

      		 3,085
      Запрос на предложение
      		IRF8721PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1040 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRF7240PBF

      IRF7240PBF

      MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO

      Infineon Technologies

      		 2,721
      Запрос на предложение
      		IRF7240PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10.5A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10.5A, 10V 3V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 9250 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRFR540ZPBF

      IRFR540ZPBF

      MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

      Infineon Technologies

      		 2,351
      Запрос на предложение
      		IRFR540ZPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRF2907ZSPBF

      IRF2907ZSPBF

      MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,591
      Запрос на предложение
      		IRF2907ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 160A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF7854PBF

      IRF7854PBF

      MOSFET N-CH 80V 10A 8SO

      Infineon Technologies

      		 6,903
      Запрос на предложение
      		IRF7854PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta) 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 4.9V @ 100µA 41 nC @ 10 V ±20V 1620 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRF8714PBF

      IRF8714PBF

      MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

      Infineon Technologies

      		 3,741
      Запрос на предложение
      		IRF8714PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1020 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRF7855PBF

      IRF7855PBF

      MOSFET N-CH 60V 12A 8SO

      Infineon Technologies

      		 3,997
      Запрос на предложение
      		IRF7855PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Ta) 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 4.9V @ 100µA 39 nC @ 10 V ±20V 1560 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRLR8721PBF

      IRLR8721PBF

      MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

      Infineon Technologies

      		 6,765
      Запрос на предложение
      		IRLR8721PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 65A (Tc) 4.5V, 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1030 pF @ 15 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLR8743PBF

      IRLR8743PBF

      MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

      Infineon Technologies

      		 3,832
      Запрос на предложение
      		IRLR8743PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 100µA 59 nC @ 4.5 V ±20V 4880 pF @ 15 V - 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL3803VSPBF

      IRL3803VSPBF

      MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,867
      Запрос на предложение
      		IRL3803VSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 76 nC @ 4.5 V ±16V 3720 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF9Z24NSPBF

      IRF9Z24NSPBF

      MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,837
      Запрос на предложение
      		IRF9Z24NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 12A (Tc) 10V 175mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF9520NSPBF

      IRF9520NSPBF

      MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,587
      Запрос на предложение
      		IRF9520NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 480mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF7853PBF

      IRF7853PBF

      MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO

      Infineon Technologies

      		 9,423
      Запрос на предложение
      		IRF7853PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.3A (Ta) 10V 18mOhm @ 8.3A, 10V 4.9V @ 100µA 39 nC @ 10 V ±20V 1640 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRF3805SPBF

      IRF3805SPBF

      MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,354
      Запрос на предложение
      		IRF3805SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 290 nC @ 10 V ±20V 7960 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF2804SPBF

      IRF2804SPBF

      MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,502
      Запрос на предложение
      		IRF2804SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF1405ZSPBF

      IRF1405ZSPBF

      MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,447
      Запрос на предложение
      		IRF1405ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4780 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF7601PBF

      IRF7601PBF

      MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

      Infineon Technologies

      		 7,730
      Запрос на предложение
      		IRF7601PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 650 pF @ 15 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
      IRFS4227PBF

      IRFS4227PBF

      MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,310
      Запрос на предложение
      		IRFS4227PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 62A (Tc) 10V 26mOhm @ 46A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4600 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF2903ZSPBF

      IRF2903ZSPBF

      MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,359
      Запрос на предложение
      		IRF2903ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      Total 36322 Record«Prev1... 15551556155715581559156015611562...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]