БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF9540NSPBF

    IRF9540NSPBF

    MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,865
    IRF9540NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF5210SPBF

    IRF5210SPBF

    MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,248
    IRF5210SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 60mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 2780 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF6216PBF

    IRF6216PBF

    MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

    Infineon Technologies

    6,645
    IRF6216PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.2A (Ta) 10V 240mOhm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V 1280 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFS4310PBF

    IRFS4310PBF

    MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,482
    IRFS4310PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR3418PBF

    IRFR3418PBF

    MOSFET N-CH 80V 70A DPAK

    Infineon Technologies

    8,474
    IRFR3418PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 70A (Tc) 10V 14mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 94 nC @ 10 V ±20V 3510 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF7425PBF

    IRF7425PBF

    MOSFET P-CH 20V 15A 8SO

    Infineon Technologies

    2,927
    IRF7425PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 15A (Ta) 2.5V, 4.5V 8.2mOhm @ 15A, 4.5V 1.2V @ 250µA 130 nC @ 4.5 V ±12V 7980 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRLR3110ZPBF

    IRLR3110ZPBF

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    3,211
    IRLR3110ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 100µA 48 nC @ 4.5 V ±16V 3980 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFS3307PBF

    IRFS3307PBF

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,278
    IRFS3307PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 180 nC @ 10 V ±20V 5150 pF @ 50 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF3805S-7PPBF

    IRF3805S-7PPBF

    MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,755
    IRF3805S-7PPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 160A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRF7210PBF

    IRF7210PBF

    MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

    Infineon Technologies

    7,942
    IRF7210PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Ta) 2.5V, 4.5V 7mOhm @ 16A, 4.5V 600mV @ 500µA (Min) 212 nC @ 5 V ±12V 17179 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF6712STR1PBF

    IRF6712STR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,446
    IRF6712STR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 17A (Ta), 68A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 17A, 10V 2.4V @ 50µA 18 nC @ 4.5 V ±20V 1570 pF @ 13 V - 2.2W (Ta), 36W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    IRFZ34NSTRRPBF

    IRFZ34NSTRRPBF

    MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,406
    IRFZ34NSTRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL5602STRRPBF

    IRL5602STRRPBF

    MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,693
    IRL5602STRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFZ44ESTRRPBF

    IRFZ44ESTRRPBF

    MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,245
    IRFZ44ESTRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 23mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL3715STRRPBF

    IRL3715STRRPBF

    MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,147
    IRL3715STRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF9530NSTRRPBF

    IRF9530NSTRRPBF

    MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,000
    IRF9530NSTRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLZ44ZSTRRPBF

    IRLZ44ZSTRRPBF

    MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,559
    IRLZ44ZSTRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF5305STRRPBF

    IRF5305STRRPBF

    MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,797
    IRF5305STRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF540ZSTRRPBF

    IRF540ZSTRRPBF

    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,307
    IRF540ZSTRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF6614TR1PBF

    IRF6614TR1PBF

    MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    7,146
    IRF6614TR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12.7A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 8.3mOhm @ 12.7A, 10V 2.25V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V ±20V 2560 pF @ 20 V - 2.1W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ ST
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.