БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    2SK2995(F)

    2SK2995(F)

    MOSFET N-CH 250V 30A TO3PIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,899
    2SK2995(F)

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Ta) 10V 68mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 10 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)IS
    2SK3068(TE24L,Q)

    2SK3068(TE24L,Q)

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,947
    2SK3068(TE24L,Q)

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 520mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
    2SK3127(TE24L,Q)

    2SK3127(TE24L,Q)

    MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,038
    2SK3127(TE24L,Q)

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 45A (Ta) 10V 12mOhm @ 25A, 10V 3V @ 1mA 66 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
    2SK3132(Q)

    2SK3132(Q)

    MOSFET N-CH 500V 50A TO3P

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,348
    2SK3132(Q)

    Техническая документация

    - TO-3PL Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 50A (Tc) 10V 95mOhm @ 25A, 10V 3.4V @ 1mA 280 nC @ 10 V ±30V 11000 pF @ 10 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(L)
    STW80NF55-08

    STW80NF55-08

    MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3

    STMicroelectronics

    5,630
    STW80NF55-08

    Техническая документация

    STripFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FDD6N50FTF

    FDD6N50FTF

    MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK

    onsemi

    3,105
    FDD6N50FTF

    Техническая документация

    UniFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5.5A (Tc) 10V 1.15Ohm @ 2.75A, 10V 5V @ 250µA 19.8 nC @ 10 V ±30V 960 pF @ 25 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    2SK3565(Q,M)

    2SK3565(Q,M)

    MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,634
    2SK3565(Q,M)

    Техническая документация

    π-MOSIV TO-220-3 Full Pack Bulk Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 5A (Ta) 10V 2.5Ohm @ 3A, 10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±30V 1150 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    PH9025L,115

    PH9025L,115

    MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK56

    NXP USA Inc.

    3,857
    PH9025L,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 66A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 10A, 10V 2.15V @ 1mA 12.8 nC @ 4.5 V ±20V 1414 pF @ 30 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    PHB119NQ06T,118

    PHB119NQ06T,118

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

    NXP USA Inc.

    3,382
    PHB119NQ06T,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7.1mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 53 nC @ 10 V ±20V 2820 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    PHB23NQ10LT,118

    PHB23NQ10LT,118

    MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK

    NXP USA Inc.

    3,342
    PHB23NQ10LT,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 5V, 10V 72mOhm @ 10A, 10V 2V @ 1mA 49 nC @ 10 V ±15V 1704 pF @ 25 V - 98W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    FDPF12N50FT

    FDPF12N50FT

    MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F

    onsemi

    4,565
    FDPF12N50FT

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11.5A (Tc) 10V 700mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1395 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    HUF75344A3

    HUF75344A3

    MOSFET N-CH 55V 75A TO3P

    onsemi

    2,797
    HUF75344A3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 208 nC @ 20 V ±20V 4855 pF @ 25 V - 288.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    IRF2804S-7PPBF

    IRF2804S-7PPBF

    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,291
    IRF2804S-7PPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 6930 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    FDPF52N20T

    FDPF52N20T

    MOSFET N-CH 200V 52A TO220F

    onsemi

    5,065
    FDPF52N20T

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 52A (Tc) 10V 49mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2900 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FDC365P

    FDC365P

    MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6

    onsemi

    4,452
    FDC365P

    Техническая документация

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35 V 4.3A (Ta) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 705 pF @ 20 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    IXUN350N10

    IXUN350N10

    MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B

    IXYS

    5,064
    IXUN350N10

    Техническая документация

    - SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 350A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 175A, 10V 4V @ 3mA 640 nC @ 10 V ±20V 27000 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    IPD105N03LGATMA1

    IPD105N03LGATMA1

    MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

    Infineon Technologies

    9,966
    IPD105N03LGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 15 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IPP50R350CPXKSA1

    IPP50R350CPXKSA1

    MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3

    Infineon Technologies

    8,636
    IPP50R350CPXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 10A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.6A, 10V 3.5V @ 370µA 25 nC @ 10 V ±20V 1020 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP60R250CPXKSA1

    IPP60R250CPXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,285
    IPP60R250CPXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V 3.5V @ 440µA 35 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    2N7002ET3G

    2N7002ET3G

    MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3

    onsemi

    4,518
    2N7002ET3G

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 260mA (Ta) 4.5V, 10V 2.5Ohm @ 240mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.81 nC @ 5 V ±20V 26.7 pF @ 25 V - 300mW (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.