БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      SI4833ADY-T1-E3

      SI4833ADY-T1-E3

      MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 8,812
      Запрос на предложение
      		SI4833ADY-T1-E3

      Техническая документация

             		LITTLE FOOT® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 72mOhm @ 3.6A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      SI5445BDC-T1-E3

      SI5445BDC-T1-E3

      MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8

      Vishay Siliconix

      		 3,997
      Запрос на предложение
      		SI5445BDC-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 33mOhm @ 5.2A, 4.5V 1V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±8V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 1206-8 ChipFET™
      SI5855DC-T1-E3

      SI5855DC-T1-E3

      MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

      Vishay Siliconix

      		 7,548
      Запрос на предложение
      		SI5855DC-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 110mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 7.7 nC @ 4.5 V ±8V - Schottky Diode (Isolated) 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 1206-8 ChipFET™
      SI7100DN-T1-E3

      SI7100DN-T1-E3

      MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8

      Vishay Siliconix

      		 7,752
      Запрос на предложение
      		SI7100DN-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 35A (Tc) 2.5V, 4.5V 3.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 105 nC @ 8 V ±8V 3810 pF @ 4 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      SI7136DP-T1-E3

      SI7136DP-T1-E3

      MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 6,117
      Запрос на предложение
      		SI7136DP-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 3380 pF @ 10 V - 5W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7382DP-T1-E3

      SI7382DP-T1-E3

      MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 5,329
      Запрос на предложение
      		SI7382DP-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 24A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7384DP-T1-E3

      SI7384DP-T1-E3

      MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 6,292
      Запрос на предложение
      		SI7384DP-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7485DP-T1-E3

      SI7485DP-T1-E3

      MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 5,476
      Запрос на предложение
      		SI7485DP-T1-E3

      Техническая документация

             		- PowerPAK® SO-8 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12.5A (Ta) - 7.3mOhm @ 20A, 4.5V 900mV @ 1mA 150 nC @ 5 V - - - - - - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI7703EDN-T1-E3

      SI7703EDN-T1-E3

      MOSFET P-CH 20V 4.3A PPAK1212-8

      Vishay Siliconix

      		 6,506
      Запрос на предложение
      		SI7703EDN-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 48mOhm @ 6.3A, 4.5V 1V @ 800µA 18 nC @ 4.5 V ±12V - Schottky Diode (Isolated) 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
      SI7858ADP-T1-E3

      SI7858ADP-T1-E3

      MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 6,100
      Запрос на предложение
      		SI7858ADP-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 20A (Ta) 2.5V, 4.5V 2.6mOhm @ 29A, 4.5V 1.5V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±8V 5700 pF @ 6 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI8402DB-T1-E1

      SI8402DB-T1-E1

      MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

      Vishay Siliconix

      		 8,984
      Запрос на предложение
      		SI8402DB-T1-E1

      Техническая документация

             		- 4-XFBGA, CSPBGA Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) - 37mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V - - - - - - - Surface Mount 4-Microfoot
      SUM110N04-03P-E3

      SUM110N04-03P-E3

      MOSFET N-CH 40V 110A TO263

      Vishay Siliconix

      		 8,621
      Запрос на предложение
      		SUM110N04-03P-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SUM110N04-04-E3

      SUM110N04-04-E3

      MOSFET N-CH 40V 110A TO263

      Vishay Siliconix

      		 6,153
      Запрос на предложение
      		SUM110N04-04-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SUM110N04-2M3L-E3

      SUM110N04-2M3L-E3

      MOSFET N-CH 40V 110A TO263

      Vishay Siliconix

      		 2,902
      Запрос на предложение
      		SUM110N04-2M3L-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 360 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SUM52N20-39P-E3

      SUM52N20-39P-E3

      MOSFET N-CH 200V 52A TO263

      Vishay Siliconix

      		 2,053
      Запрос на предложение
      		SUM52N20-39P-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 52A (Tc) 10V, 15V 38mOhm @ 20A, 15V 4.5V @ 250µA 185 nC @ 15 V ±25V 4220 pF @ 25 V - 3.12W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      2SK2719(F)

      2SK2719(F)

      MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 7,557
      Запрос на предложение
      		2SK2719(F)

      Техническая документация

             		- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 750 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
      2SK2847(F)

      2SK2847(F)

      MOSFET N-CH 900V 8A TO3PIS

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 5,627
      Запрос на предложение
      		2SK2847(F)

      Техническая документация

             		- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Ta) 10V 1.4Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±30V 2040 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)IS
      2SK2917(F)

      2SK2917(F)

      MOSFET N-CH 500V 18A TO3PIS

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 3,466
      Запрос на предложение
      		2SK2917(F)

      Техническая документация

             		- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18A (Ta) 10V 270mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 3720 pF @ 10 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)IS
      2SK2967(F)

      2SK2967(F)

      MOSFET N-CH 250V 30A TO3P

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,449
      Запрос на предложение
      		2SK2967(F)

      Техническая документация

             		- TO-3P-3, SC-65-3 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Ta) 10V 68mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 1mA 132 nC @ 10 V ±20V 5400 pF @ 10 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P(N)
      2SK2993(TE24L,Q)

      2SK2993(TE24L,Q)

      MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 3,849
      Запрос на предложение
      		2SK2993(TE24L,Q)

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 20A (Ta) 10V 105mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-220SM
      Total 36322 Record«Prev1... 15511552155315541555155615571558...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]