БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STF20N90K5

    STF20N90K5

    MOSFET N-CH 900V 20A TO220FP

    STMicroelectronics

    859
    STF20N90K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    R6055VNZ4C13

    R6055VNZ4C13

    600V 55A TO-247, PRESTOMOS WITH

    Rohm Semiconductor

    586
    R6055VNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 55A (Tc) 10V, 15V 71mOhm @ 16A, 15V 6.5V @ 1.5mA 80 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 100 V - 543W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IPP60R060P7XKSA1

    IPP60R060P7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3

    Infineon Technologies

    500
    IPP60R060P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 48A (Tc) 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 67 nC @ 10 V ±20V 2895 pF @ 400 V - 164W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPB020NE7N3GATMA1

    IPB020NE7N3GATMA1

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,434
    IPB020NE7N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 273µA 206 nC @ 10 V ±20V 14400 pF @ 37.5 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    MSC750SMA170S

    MSC750SMA170S

    TRANS SJT 1700V D3PAK

    Microchip Technology

    442
    MSC750SMA170S

    Техническая документация

    - TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 6A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount D3PAK
    IPT054N15N5ATMA1

    IPT054N15N5ATMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    1,600
    IPT054N15N5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 143A (Tc) 8V, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 181µA 69 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 75 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
    SIHP38N60E-GE3

    SIHP38N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB

    Vishay Siliconix

    914
    SIHP38N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 43A (Tc) 10V 65mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPT60R075CFD7XTMA1

    IPT60R075CFD7XTMA1

    MOSFET N-CH 600V 33A 8HSOF

    Infineon Technologies

    1,109
    IPT60R075CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V 75mOhm @ 11.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 188W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    STW40N60M2

    STW40N60M2

    MOSFET N-CH 600V 34A TO247

    STMicroelectronics

    592
    STW40N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 88mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPW60R090CFD7XKSA1

    IPW60R090CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3

    Infineon Technologies

    238
    IPW60R090CFD7XKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 90mOhm @ 11.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    IPI075N15N3GXKSA1

    IPI075N15N3GXKSA1

    MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3

    Infineon Technologies

    991
    IPI075N15N3GXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 100A (Tc) 8V, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 270µA 93 nC @ 10 V ±20V 5470 pF @ 75 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    STP190N55LF3

    STP190N55LF3

    MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3

    STMicroelectronics

    711
    STP190N55LF3

    Техническая документация

    STripFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 5V, 10V 3.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 5 V ±18V 6200 pF @ 25 V - 312W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NVHL072N65S3

    NVHL072N65S3

    MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3

    onsemi

    185
    NVHL072N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 44A (Tc) 10V 72mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 1mA 82 nC @ 10 V ±30V 3300 pF @ 400 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    SIHH26N60E-T1-GE3

    SIHH26N60E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    5,625
    SIHH26N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 135mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±30V 2815 pF @ 100 V - 202W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    STH275N8F7-6AG

    STH275N8F7-6AG

    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

    STMicroelectronics

    1,842
    STH275N8F7-6AG

    Техническая документация

    STripFET™ F7 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-6
    IXFP180N10T2

    IXFP180N10T2

    MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    346
    IXFP180N10T2

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STF22NM60N

    STF22NM60N

    MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,944
    STF22NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 8A, 10V 4V @ 100µA 44 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 50 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPW65R095C7XKSA1

    IPW65R095C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 24A TO247

    Infineon Technologies

    1,045
    IPW65R095C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 95mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 45 nC @ 10 V ±20V 2140 pF @ 400 V - 128W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    IPB060N15N5ATMA1

    IPB060N15N5ATMA1

    MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

    Infineon Technologies

    2,544
    IPB060N15N5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 136A (Tc) 8V, 10V 6mOhm @ 68A, 10V 4.6V @ 180µA 68 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 75 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    SCT10N120AG

    SCT10N120AG

    SICFET N-CH 1200V 12A HIP247

    STMicroelectronics

    569
    SCT10N120AG

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 12A (Tc) 20V 690mOhm @ 6A, 20V 3.5V @ 250µA 22 nC @ 20 V +25V, -10V 290 pF @ 400 V - 150W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole HiP247™
    Total 36322 Record«Prev1... 96979899100101102103...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.