БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP60R125C6XKSA1

    IPP60R125C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3

    Infineon Technologies

    440
    IPP60R125C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPA60R125C6XKSA1

    IPA60R125C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP

    Infineon Technologies

    132
    IPA60R125C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    SIJH800E-T1-GE3

    SIJH800E-T1-GE3

    N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    4,154
    SIJH800E-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 7.5V, 10V 1.55mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 10230 pF @ 40 V - 3.3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    SIHG24N80AEF-GE3

    SIHG24N80AEF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    372
    SIHG24N80AEF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 195mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 1889 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    FDMS86152

    FDMS86152

    MOSFET N-CH 100V 14A/45A POWER56

    onsemi

    5,114
    FDMS86152

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 45A (Tc) 6V, 10V 6mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3370 pF @ 50 V - 2.7W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRFP4110PBFXKMA1

    IRFP4110PBFXKMA1

    TRENCH >=100V PG-TO247-3

    Infineon Technologies

    929
    IRFP4110PBFXKMA1

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    R6020JNJGTL

    R6020JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

    Rohm Semiconductor

    1,787
    R6020JNJGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 15V 234mOhm @ 10A, 15V 7V @ 3.5mA 45 nC @ 15 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 252W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    SIHG73N60AE-GE3

    SIHG73N60AE-GE3

    MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

    Vishay Siliconix

    500
    SIHG73N60AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 40mOhm @ 36.5A, 10V 4V @ 250µA 394 nC @ 10 V ±30V 5500 pF @ 100 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IPT60R102G7XTMA1

    IPT60R102G7XTMA1

    MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

    Infineon Technologies

    2,294
    IPT60R102G7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ G7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 102mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1320 pF @ 400 V - 141W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    STF42N60M2-EP

    STF42N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP

    STMicroelectronics

    4,921
    STF42N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 87mOhm @ 17A, 10V 4.75V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±25V 2370 pF @ 100 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IXFP38N30X3

    IXFP38N30X3

    MOSFET N-CH 300V 38A TO220

    Littelfuse Inc.

    747
    IXFP38N30X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 38A (Tc) 10V 50mOhm @ 19A, 10V 4.5V @ 1mA 35 nC @ 10 V ±20V 2240 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTMFS5C404NLT1G

    NTMFS5C404NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN

    onsemi

    3,504
    NTMFS5C404NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 52A (Ta), 370A (Tc) 4.5V, 10V 0.75mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 181 nC @ 10 V ±20V 12168 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIHP100N60E-GE3

    SIHP100N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB

    Vishay Siliconix

    3,000
    SIHP100N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 100mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1851 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHG080N60E-GE3

    SIHG080N60E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,

    Vishay Siliconix

    224
    SIHG080N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    TP65H150G4LSG-TR

    TP65H150G4LSG-TR

    650 V 13 A GAN FET

    Transphorm

    2,832
    TP65H150G4LSG-TR

    Техническая документация

    - 3-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.5A, 10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
    SIHP065N60E-GE3

    SIHP065N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

    Vishay Siliconix

    872
    SIHP065N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 65mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    UF3C120400K3S

    UF3C120400K3S

    SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

    Qorvo

    341
    UF3C120400K3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 7.6A (Tc) 12V 515mOhm @ 5A, 12V 6V @ 10mA 27 nC @ 15 V ±25V 740 pF @ 100 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FDBL86563-F085

    FDBL86563-F085

    MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

    onsemi

    3,520
    FDBL86563-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 30 V - 357W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
    IXFP16N50P

    IXFP16N50P

    MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFP16N50P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 400mOhm @ 8A, 10V 5.5V @ 2.5mA 43 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SIHB100N60E-GE3

    SIHB100N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,004
    SIHB100N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 100mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1851 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 93949596979899100...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.