БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STW43N60DM2

    STW43N60DM2

    MOSFET N-CH 600V 34A TO247

    STMicroelectronics

    600
    STW43N60DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 93mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±25V 2500 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    STP310N10F7

    STP310N10F7

    MOSFET N CH 100V 180A TO-220

    STMicroelectronics

    571
    STP310N10F7

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12800 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SUP57N20-33-E3

    SUP57N20-33-E3

    MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB

    Vishay Siliconix

    401
    SUP57N20-33-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 57A (Tc) 10V 33mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    FDP025N06

    FDP025N06

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

    onsemi

    939
    FDP025N06

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 226 nC @ 10 V ±20V 14885 pF @ 25 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    TK125V65Z,LQ

    TK125V65Z,LQ

    MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    10,000
    TK125V65Z,LQ

    Техническая документация

    DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Ta) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4V @ 1.02mA 40 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 300 V - 190W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
    STH270N8F7-6

    STH270N8F7-6

    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

    STMicroelectronics

    2,814
    STH270N8F7-6

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK
    STB18NM80

    STB18NM80

    MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK

    STMicroelectronics

    9,305
    STB18NM80

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 295mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 2070 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STH260N6F6-2

    STH260N6F6-2

    MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    978
    STH260N6F6-2

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 nC @ 10 V ±20V 11800 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
    STF11NM80

    STF11NM80

    MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

    STMicroelectronics

    954
    STF11NM80

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 43.6 nC @ 10 V ±30V 1630 pF @ 25 V - 35W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    NVMFS4C01NT1G

    NVMFS4C01NT1G

    MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

    onsemi

    2,984
    NVMFS4C01NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.84W (Ta), 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IXFA22N65X2

    IXFA22N65X2

    MOSFET N-CH 650V 22A TO263

    Littelfuse Inc.

    548
    IXFA22N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 160mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2310 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
    IRFP048PBF

    IRFP048PBF

    MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

    Vishay Siliconix

    392
    IRFP048PBF

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 10V 18mOhm @ 44A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IPB011N04LGATMA1

    IPB011N04LGATMA1

    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    2,111
    IPB011N04LGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 100A, 10V 2V @ 200µA 346 nC @ 10 V ±20V 29000 pF @ 20 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    FCH104N60F

    FCH104N60F

    MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

    onsemi

    760
    FCH104N60F

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    FCB125N65S3

    FCB125N65S3

    MOSFET N-CH 650V 24A TO263

    onsemi

    568
    FCB125N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 590µA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FCPF125N65S3

    FCPF125N65S3

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220F

    onsemi

    534
    FCPF125N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 44 nC @ 10 V ±30V 1790 pF @ 400 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    STP315N10F7

    STP315N10F7

    MOSFET N-CH 100V 180A TO220

    STMicroelectronics

    778
    STP315N10F7

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 12800 pF @ 25 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
    FDH3632

    FDH3632

    MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3

    onsemi

    604
    FDH3632

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXTA1R4N120P

    IXTA1R4N120P

    MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263

    Littelfuse Inc.

    296
    IXTA1R4N120P

    Техническая документация

    Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1.4A (Tc) 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 100µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 666 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IPB60R125C6ATMA1

    IPB60R125C6ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

    Infineon Technologies

    1,840
    IPB60R125C6ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    Total 36322 Record«Prev1... 9293949596979899...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.