БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXTA230N075T2

    IXTA230N075T2

    MOSFET N-CH 75V 230A TO263

    Littelfuse Inc.

    374
    IXTA230N075T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 230A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 178 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IXFH22N65X2

    IXFH22N65X2

    MOSFET N-CH 650V 22A TO247

    Littelfuse Inc.

    284
    IXFH22N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 160mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2310 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    STFW3N170

    STFW3N170

    MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT

    STMicroelectronics

    672
    STFW3N170

    Техническая документация

    PowerMESH™ TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1700 V 2.6A (Tc) 10V 13Ohm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    IPP120N20NFDAKSA1

    IPP120N20NFDAKSA1

    MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3

    Infineon Technologies

    720
    IPP120N20NFDAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 84A (Tc) 10V 12mOhm @ 84A, 10V 4V @ 270µA 87 nC @ 10 V ±20V 6650 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPW24N60C3FKSA1

    SPW24N60C3FKSA1

    MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3

    Infineon Technologies

    228
    SPW24N60C3FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24.3A (Tc) 10V 160mOhm @ 15.4A, 10V 3.9V @ 1.2mA 135 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    FDBL0240N100

    FDBL0240N100

    MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF

    onsemi

    19,334
    FDBL0240N100

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 210A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 111 nC @ 10 V ±20V 8755 pF @ 50 V - 3.5W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    SIHB24N65EFT1-GE3

    SIHB24N65EFT1-GE3

    N-CHANNEL 650V

    Vishay Siliconix

    2,817
    SIHB24N65EFT1-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 156mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2774 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHP065N60E-BE3

    SIHP065N60E-BE3

    N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    1,486
    SIHP065N60E-BE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 65mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHG068N60EF-GE3

    SIHG068N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 41A TO247AC

    Vishay Siliconix

    374
    SIHG068N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 41A (Tc) 10V 68mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±30V 2628 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXTP52P10P

    IXTP52P10P

    MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    251
    IXTP52P10P

    Техническая документация

    PolarP™ TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 52A (Tc) 10V 50mOhm @ 52A, 10V 4.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2845 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    PSMNR55-40SSHJ

    PSMNR55-40SSHJ

    PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88

    Nexperia USA Inc.

    5,446
    PSMNR55-40SSHJ

    Техническая документация

    - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 500A (Tc) 10V 0.55mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 267 nC @ 10 V ±20V 21162 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
    PSMNR90-50SLHAX

    PSMNR90-50SLHAX

    PSMNR90-50SLH/SOT1235/LFPAK88

    Nexperia USA Inc.

    3,871
    PSMNR90-50SLHAX

    Техническая документация

    - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 410A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 383 nC @ 10 V ±20V 25001 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
    FCPF220N80

    FCPF220N80

    MOSFET N-CH 800V 23A TO220F

    onsemi

    895
    FCPF220N80

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 23A (Tc) 10V 220mOhm @ 11.5A, 10V 4.5V @ 2.3mA 105 nC @ 10 V ±20V 4560 pF @ 100 V - 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SIHG065N60E-GE3

    SIHG065N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

    Vishay Siliconix

    456
    SIHG065N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 65mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 2700 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SCT3120ALHRC11

    SCT3120ALHRC11

    SICFET N-CH 650V 21A TO247N

    Rohm Semiconductor

    2,204
    SCT3120ALHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 21A (Tc) 18V 156mOhm @ 6.7A, 18V 5.6V @ 3.33mA 38 nC @ 18 V +22V, -4V 460 pF @ 500 V - 103W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    IPA95R130PFD7XKSA1

    IPA95R130PFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 950V 13.9A TO220-3

    Infineon Technologies

    452
    IPA95R130PFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 13.9A (Tc) 10V 130mOhm @ 25.1A, 10V 3.5V @ 1.25mA 141 nC @ 10 V ±20V 4170 pF @ 400 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    IPTC054N15NM5ATMA1

    IPTC054N15NM5ATMA1

    OPTIMOS 5 POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    1,776
    IPTC054N15NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 17.5A (Ta), 143A (Tc) 8V, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 191µA 73 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-2
    AOT42S60L

    AOT42S60L

    MOSFET N-CH 600V 37A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    694
    AOT42S60L

    Техническая документация

    aMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 99mOhm @ 21A, 10V 3.8V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 2154 pF @ 100 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AUIRFS8409-7TRL

    AUIRFS8409-7TRL

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    164
    AUIRFS8409-7TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 0.75mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 13975 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    SIHB28N60EF-GE3

    SIHB28N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,229
    SIHB28N60EF-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 123mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 2714 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Total 36322 Record«Prev1... 9899100101102103104105...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.