БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RJK03J5DPA-00#J5A

    RJK03J5DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    264,000
    RJK03J5DPA-00#J5A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDD6696

    FDD6696

    MOSFET N-CH 30V 13A/50A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    217,895
    FDD6696

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 5 V ±16V 1715 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    2SK3412-TL-E

    2SK3412-TL-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    198,100
    2SK3412-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQP9N25

    FQP9N25

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    132,000
    FQP9N25

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 9.4A (Tc) 10V 420mOhm @ 4.7A, 10V 5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTMSD6N303R2G

    NTMSD6N303R2G

    MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

    onsemi

    4,159
    NTMSD6N303R2G

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 24 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    2SK2111-T2-AZ

    2SK2111-T2-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    96,000
    2SK2111-T2-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA2591T1H-T1-AT

    UPA2591T1H-T1-AT

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    93,000
    UPA2591T1H-T1-AT

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDC021N30

    FDC021N30

    MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

    onsemi

    2,974
    FDC021N30

    Техническая документация

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.1A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 6.1A, 10V 3V @ 250µA 10.8 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    FDB7030BL

    FDB7030BL

    60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,

    Fairchild Semiconductor

    51,983
    FDB7030BL

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 5 V ±20V 1760 pF @ 15 V - 60W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    NTD4854NT4G

    NTD4854NT4G

    MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK

    onsemi

    8,394
    NTD4854NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 15.7A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 49.2 nC @ 4.5 V ±20V 4600 pF @ 12 V - 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FSS173-TL-E

    FSS173-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    51,000
    FSS173-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQP13N06L

    FQP13N06L

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

    Fairchild Semiconductor

    46,409
    FQP13N06L

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13.6A (Tc) 5V, 10V 110mOhm @ 6.8A, 10V 2.5V @ 250µA 6.4 nC @ 5 V ±20V 350 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NTD4302G

    NTD4302G

    MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK

    onsemi

    7,048
    NTD4302G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.4A (Ta), 68A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 24 V - 1.04W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    2SK3850-TL-E

    2SK3850-TL-E

    NCH 10V DRIVE SERIES

    onsemi

    39,900
    2SK3850-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTTFS4932NTAG

    NTTFS4932NTAG

    MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN

    onsemi

    8,059
    NTTFS4932NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 46.5 nC @ 10 V ±20V 3111 pF @ 15 V - 850mW (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    FDFS2P103

    FDFS2P103

    MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    29,870
    FDFS2P103

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 5.3A, 10V 3V @ 250µA 8 nC @ 5 V ±25V 528 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRFI840BTU

    IRFI840BTU

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    26,732
    IRFI840BTU

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    2SK680A-T2-AZ

    2SK680A-T2-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    26,350
    2SK680A-T2-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK2111-T1-AZ

    2SK2111-T1-AZ

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    20,932
    2SK2111-T1-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF822

    IRF822

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    20,598
    IRF822

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.2A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Total 36322 Record«Prev1... 420421422423424425426427...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.