БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FQI7P06TU

    FQI7P06TU

    MOSFET P-CH 60V 7A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    2,199
    FQI7P06TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Tc) 10V 410mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±25V 295 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    SFT1305-TL-E

    SFT1305-TL-E

    P-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    2,100
    SFT1305-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTDV20N06LT4G

    NTDV20N06LT4G

    MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

    onsemi

    7,057
    NTDV20N06LT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Ta) 5V 48mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 32 nC @ 5 V ±15V 990 pF @ 25 V - 1.36W (Ta), 60W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    2SK3818-DL-E

    2SK3818-DL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    2,000
    2SK3818-DL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLML2402TR

    IRLML2402TR

    MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23

    UMW

    1,996
    IRLML2402TR

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GT1003A

    GT1003A

    N100V, 3A,RD<140M@10V,VTH1.0V~3.

    Goford Semiconductor

    1,947
    GT1003A

    Техническая документация

    SGT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3A (Tc) 10V 80mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 209 pF @ 50 V - 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDU8796

    FDU8796

    MOSFET N-CH 25V 35A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    1,800
    FDU8796

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 2610 pF @ 13 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQPF3N40

    FQPF3N40

    MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    1,544
    FQPF3N40

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.6A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 800mA, 10V 5V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    RFP23N06LE

    RFP23N06LE

    N-CHANNEL, MOSFET

    Harris Corporation

    1,486
    RFP23N06LE

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH3338-TL-H

    CPH3338-TL-H

    MOSFET P-CH

    Sanyo

    1,440
    CPH3338-TL-H

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD6600N-1G

    NTD6600N-1G

    MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

    onsemi

    9,429
    NTD6600N-1G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta) 5V 146mOhm @ 6A, 5V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 700 pF @ 25 V - 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRF9622

    IRF9622

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    1,128
    IRF9622

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRFR221

    IRFR221

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    1,075
    IRFR221

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 4.6A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTD40N03R-001

    NTD40N03R-001

    MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A IPAK

    onsemi

    7,975
    NTD40N03R-001

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 7.8A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 16.5mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 5.78 nC @ 4.5 V ±20V 584 pF @ 20 V - 1.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    SCH1601-A-TL-W

    SCH1601-A-TL-W

    MOSFET N-CH 16V SC28

    onsemi

    9,588
    SCH1601-A-TL-W

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSF885N03LQ3GXUMA1

    BSF885N03LQ3GXUMA1

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    240,000
    BSF885N03LQ3GXUMA1

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLGF3501NT2G

    NTLGF3501NT2G

    MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN

    onsemi

    6,014
    NTLGF3501NT2G

    Техническая документация

    FETKY™ 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 90mOhm @ 3.4A, 4.5V 2V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 275 pF @ 10 V - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
    IPP60R950C6XKSA1

    IPP60R950C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,309
    IPP60R950C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FDD9411-F085

    FDD9411-F085

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

    onsemi

    8,501
    FDD9411-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 15A (Tc) 10V 7.8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 25 V - 48.4W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    HRFZ44N

    HRFZ44N

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    12,586
    HRFZ44N

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 22mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    Total 36322 Record«Prev1... 418419420421422423424425...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.