БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 103AT-2 TPS54560DDAR LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      HUFA75329S3ST

      HUFA75329S3ST

      MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

      Fairchild Semiconductor

      		 3,596
      Запрос на предложение
      		HUFA75329S3ST

      Техническая документация

             		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 24mOhm @ 49A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      2SJ645-TL-E

      2SJ645-TL-E

      MOSFET P-CH

      onsemi

      		 3,500
      Запрос на предложение
      		2SJ645-TL-E

      Техническая документация

             		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      G6N02L

      G6N02L

      MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23-3L

      Goford Semiconductor

      		 3,379
      Запрос на предложение
      		G6N02L

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Tc) 2.5V, 4.5V 11.3mOhm @ 3A, 4.5V 900mV @ 250µA 12.5 nC @ 10 V ±12V 1151 pF @ 15 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
      FQP2N50

      FQP2N50

      MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3

      Fairchild Semiconductor

      		 3,015
      Запрос на предложение
      		FQP2N50

      Техническая документация

             		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.1A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 1.05A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      CPH6339-TL-E

      CPH6339-TL-E

      MOSFET P-CH

      Sanyo

      		 3,014
      Запрос на предложение
      		CPH6339-TL-E

      Техническая документация

             		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      ECH8607-TL-E

      ECH8607-TL-E

      N-CHANNEL SILICON MOSFET

      onsemi

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		ECH8607-TL-E

      Техническая документация

             		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      CPH6328-TL-E

      CPH6328-TL-E

      MOSFET P-CH

      Sanyo

      		 2,996
      Запрос на предложение
      		CPH6328-TL-E

      Техническая документация

             		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      IRLML6344TR

      IRLML6344TR

      MOSFET N-CH 30V 5A SOT23

      UMW

      		 2,955
      Запрос на предложение
      		IRLML6344TR

      Техническая документация

             		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 29mOhm @ 5A, 4.5V 1.1V @ 10µA - ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
      FQB3N30TM

      FQB3N30TM

      MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK

      Fairchild Semiconductor

      		 2,934
      Запрос на предложение
      		FQB3N30TM

      Техническая документация

             		QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 3.2A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 1.6A, 10V 5V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      AO3423A

      AO3423A

      SOT-23 POWER MOSFETS ROHS

      UMW

      		 2,905
      Запрос на предложение
      		AO3423A

      Техническая документация

             		UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 120mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 250µA 3.2 nC @ 4.5 V ±12V 325 pF @ 4.5 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3L
      IRLML0040TR

      IRLML0040TR

      MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23

      UMW

      		 2,900
      Запрос на предложение
      		IRLML0040TR

      Техническая документация

             		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 3.6A (Ta) 4.5V, 10V 56mOhm @ 3.6A, 10V 2.5V @ 25µA - ±16V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
      HUF75332S3S

      HUF75332S3S

      N-CHANNEL POWER MOSFET

      Harris Corporation

      		 2,788
      Запрос на предложение
      		HUF75332S3S

      Техническая документация

             		UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 52A (Tc) 10V 19mOhm @ 52A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 20 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SI2323DS

      SI2323DS

      MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3

      UMW

      		 2,787
      Запрос на предложение
      		SI2323DS

      Техническая документация

             		* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 39mOhm @ 4.7A, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V - - 750mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
      FQP5N30

      FQP5N30

      MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3

      Fairchild Semiconductor

      		 2,635
      Запрос на предложение
      		FQP5N30

      Техническая документация

             		QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 5.4A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.7A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 430 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      HAT1142R02-EL-E

      HAT1142R02-EL-E

      P-CHANNEL POWER MOSFET

      Renesas Electronics Corporation

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		HAT1142R02-EL-E

      Техническая документация

             		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      SI2319A

      SI2319A

      MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3

      UMW

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		SI2319A

      Техническая документация

             		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 4.4A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm @ 4.4A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
      G02P06

      G02P06

      P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2

      Goford Semiconductor

      		 2,412
      Запрос на предложение
      		G02P06

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Tc) 4.5V, 10V 190mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 566 pF @ 30 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
      IRF823

      IRF823

      N-CHANNEL POWER MOSFET

      Harris Corporation

      		 2,284
      Запрос на предложение
      		IRF823

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 450 V 2.2A (Tc) 10V 4Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      BUK9614-55A,118

      BUK9614-55A,118

      MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK

      NXP USA Inc.

      		 2,273
      Запрос на предложение
      		BUK9614-55A,118

      Техническая документация

             		* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      FQD4N50TF

      FQD4N50TF

      MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

      Fairchild Semiconductor

      		 2,257
      Запрос на предложение
      		FQD4N50TF

      Техническая документация

             		QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      Total 36322 Record«Prev1... 417418419420421422423424...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]