БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FQPF17N08

    FQPF17N08

    MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    2,970
    FQPF17N08

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11.2A (Tc) 10V 115mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 450 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    NTD4855N-35G

    NTD4855N-35G

    MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK

    onsemi

    2,925
    NTD4855N-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 14A (Ta), 98A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 32.7 nC @ 4.5 V ±20V 2950 pF @ 12 V - 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRFR121

    IRFR121

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    2,880
    IRFR121

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8.4A - - - - - - - - - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SFS9Z34

    SFS9Z34

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    2,772
    SFS9Z34

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 140mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1155 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    FDN359BN

    FDN359BN

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

    UMW

    2,753
    FDN359BN

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDN358P

    FDN358P

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

    UMW

    2,528
    FDN358P

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTP4N40E

    MTP4N40E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    2,516
    MTP4N40E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA2762UGR-E1-AT

    UPA2762UGR-E1-AT

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    2,500
    UPA2762UGR-E1-AT

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RFD14N06LSM9A

    RFD14N06LSM9A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    2,500
    RFD14N06LSM9A

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI2307A

    SI2307A

    30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

    UMW

    2,192
    SI2307A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 15 nC @ 15 V ±20V 565 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AO3404A

    AO3404A

    30V 5.8A 28MR@10V,5.8A 1.4W 3V@2

    UMW

    2,139
    AO3404A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 820 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FSS248-TL-E-SY

    FSS248-TL-E-SY

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    2,000
    FSS248-TL-E-SY

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    RJK03M6DPA-WS#J5A

    RJK03M6DPA-WS#J5A

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    1,740
    RJK03M6DPA-WS#J5A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF2N50

    FQPF2N50

    MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    1,628
    FQPF2N50

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.3A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 650mA, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SFT1452-H

    SFT1452-H

    MOSFET N-CH 250V 3A IPAK/TP

    onsemi

    9,076
    SFT1452-H

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3A (Ta) 10V 2.4Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 1mA 4.2 nC @ 10 V ±30V 210 pF @ 20 V - 1W (Ta), 26W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK/TP
    FDMA530PZ

    FDMA530PZ

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

    Fairchild Semiconductor

    1,382
    FDMA530PZ

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.8A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 6.8A, 10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 1070 pF @ 15 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    IRFD112

    IRFD112

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Harris Corporation

    1,371
    IRFD112

    Техническая документация

    - 4-DIP (0.300", 7.62mm) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 800mA (Tc) 10V 800mOhm @ 800mA, 10V 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±20V 135 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole 4-DIP, Hexdip
    G2312

    G2312

    N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

    Goford Semiconductor

    1,127
    G2312

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tc) 2.5V, 4.5V 17mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 10.5 nC @ 4.5 V ±12V 830 pF @ 10 V - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FQD2N50TF

    FQD2N50TF

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    1,015
    FQD2N50TF

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 1.6A (Tc) 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    G65P06D5

    G65P06D5

    MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

    Goford Semiconductor

    5,000
    G65P06D5

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 65A (Tc) 10V 18mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA - ±20V - - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
    Total 36322 Record«Prev1... 402403404405406407408409...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.