БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    G06P01E

    G06P01E

    P12V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<4

    Goford Semiconductor

    8,792
    G06P01E

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 4A (Tc) 1.8V, 4.5V 28mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±10V 1087 pF @ 6 V - 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    3401

    3401

    MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

    Goford Semiconductor

    8,625
    3401

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.2A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA 8.5 nC @ 4.5 V ±12V 670 pF @ 15 V - 1.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    ISL9N306AD3ST

    ISL9N306AD3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    8,371
    ISL9N306AD3ST

    Техническая документация

    UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 15 V - 125W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SFW9510TM

    SFW9510TM

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    6,259
    SFW9510TM

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 335 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 32W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SSF6092G1

    SSF6092G1

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.7A, 60V,

    Good-Ark Semiconductor

    6,000
    SSF6092G1

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A 10V 92mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 641 pF @ 25 V - 1.25W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23
    GSFR0308

    GSFR0308

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S

    Good-Ark Semiconductor

    5,973
    GSFR0308

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 6.4 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 15 V - 2W (Ta) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
    G3035

    G3035

    P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

    Goford Semiconductor

    5,959
    G3035

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 607 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    HS54095-01-E

    HS54095-01-E

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    5,500
    HS54095-01-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SSF3051G7

    SSF3051G7

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -4A, -30V,

    Good-Ark Semiconductor

    5,198
    SSF3051G7

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A 4.5V, 10V 48mOhm @ 4.4A, 10V 3V @ 250µA 7.1 nC @ 5 V ±25V 520 pF @ 15 V - 1.7W -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23-6L
    FSS248-TL-E

    FSS248-TL-E

    MOSFET N-CH

    onsemi

    5,000
    FSS248-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF5P10

    FQPF5P10

    MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    4,443
    FQPF5P10

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.9A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 1.45A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 23W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQP630

    FQP630

    MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    4,361
    FQP630

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±25V 550 pF @ 25 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    2SK681A-AZ

    2SK681A-AZ

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    4,181
    2SK681A-AZ

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF5N20L

    FQPF5N20L

    MOSFET N-CH 200V 3.5A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    3,834
    FQPF5N20L

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 5V, 10V 1.2Ohm @ 1.75A, 10V 2V @ 250µA 6.2 nC @ 5 V ±20V 325 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    RJK03M6DNS-WS#J5

    RJK03M6DNS-WS#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    3,610
    RJK03M6DNS-WS#J5

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    03N06

    03N06

    N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12

    Goford Semiconductor

    3,332
    03N06

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 80mOhm @ 2A, 10V 1.2V @ 250µA 14.6 nC @ 10 V ±20V 458 pF @ 30 V - 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDN340P-EV

    FDN340P-EV

    MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23

    EVVO

    3,000
    FDN340P-EV

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±8V 600 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    FDN339AN

    FDN339AN

    MOSFET N-CH 20V 3A SOT23

    UMW

    2,995
    FDN339AN

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SI2333CDS

    SI2333CDS

    MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23

    UMW

    2,994
    SI2333CDS

    Техническая документация

    * TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 7.1A (Tc) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 5.1A, 4.5V 1V @ 250µA - ±8V - - 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    FDV304P

    FDV304P

    MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

    UMW

    2,987
    FDV304P

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 401402403404405406407408...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.