БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PJD50N10SA-AU_L2_006A1

    PJD50N10SA-AU_L2_006A1

    100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    Panjit International Inc.

    2,920
    PJD50N10SA-AU_L2_006A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NVMFS5H663NLWFT1G

    NVMFS5H663NLWFT1G

    MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN

    onsemi

    8,585
    NVMFS5H663NLWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16.2A (Ta), 67A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 56µA 17 nC @ 10 V ±20V 1131 pF @ 30 V - 3.7W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    PSMN012-100YSFX

    PSMN012-100YSFX

    NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

    Nexperia USA Inc.

    1,029
    PSMN012-100YSFX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 65A (Tc) 7V, 10V 11.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 50 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    NTTYS009N08HLTWG

    NTTYS009N08HLTWG

    T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG

    onsemi

    2,922
    NTTYS009N08HLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 10V 8.6mOhm @ 10A, 10V 2V @ 70µA 24 nC @ 10 V ±20V 1402 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 73W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    IPB70N04S406ATMA1

    IPB70N04S406ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3

    Infineon Technologies

    1,816
    IPB70N04S406ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 70A, 10V 4V @ 26µA 32 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    NVMFS5C680NLWFT1G

    NVMFS5C680NLWFT1G

    MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN

    onsemi

    1,460
    NVMFS5C680NLWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.1A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 27.5mOhm @ 7.5A, 10V 2.2V @ 13µA 5.8 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.4W (Ta), 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    MCAC7D5N10YL-TP

    MCAC7D5N10YL-TP

    MOSFET N-CH 100 75A DFN5060

    Micro Commercial Co

    9,989
    MCAC7D5N10YL-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2460 pF @ 50 V - 89W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    IAUC120N06S5N032ATMA1

    IAUC120N06S5N032ATMA1

    MOSFET_)40V 60V)

    Infineon Technologies

    6,947
    IAUC120N06S5N032ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tj) 7V, 10V 3.23mOhm @ 60A, 10V 3.4V @ 44µA 47 nC @ 10 V ±20V 3446 pF @ 30 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-34
    SIR4409DP-T1-RE3

    SIR4409DP-T1-RE3

    P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,204
    SIR4409DP-T1-RE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17.2A (Ta), 60.6A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 5670 pF @ 20 V - 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    NVMYS008N08LHTWG

    NVMYS008N08LHTWG

    T8 80V LL LFPAK

    onsemi

    3,000
    NVMYS008N08LHTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 13A (Ta), 59A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 2V @ 70µA 25 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 40 V - 3.7W (Ta), 73W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    DMNH10H028SPS-13

    DMNH10H028SPS-13

    MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8

    Diodes Incorporated

    2,200
    DMNH10H028SPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 10V 28mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2245 pF @ 50 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
    TK35S04K3L(T6L1,NQ

    TK35S04K3L(T6L1,NQ

    MOSFET N-CH 40V 35A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,650
    TK35S04K3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta) 6V, 10V 10.3mOhm @ 17.5A, 10V 3V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±20V 1370 pF @ 10 V - 58W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    DMP3004SSS-13

    DMP3004SSS-13

    MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2

    Diodes Incorporated

    2,317
    DMP3004SSS-13

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16.2A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 156 nC @ 10 V ±20V 7693 pF @ 15 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    TK6P53D(T6RSS-Q)

    TK6P53D(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,988
    TK6P53D(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 6A (Ta) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK7P50D(T6RSS-Q)

    TK7P50D(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 500V 7A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,939
    TK7P50D(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    π-MOSVII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7A (Ta) 10V 1.22Ohm @ 3.5A, 10V 4.4V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TSM035NB04LCZ C0G

    TSM035NB04LCZ C0G

    40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    1,884
    TSM035NB04LCZ C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18A (Ta), 157A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 250µA 111 nC @ 10 V ±20V 6350 pF @ 20 V - 2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    XP1504YT

    XP1504YT

    MOSFET N-CH 150V 5A 15.8A PMPAK

    YAGEO XSEMI

    997
    XP1504YT

    Техническая документация

    XP1504 8-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5A (Ta), 15.8A (Tc) 10V 59mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 25.6 nC @ 10 V ±20V 984 pF @ 100 V - 3.12W (Ta), 31.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 3 x 3
    GANB4R8-040CBAZ

    GANB4R8-040CBAZ

    GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

    Nexperia USA Inc.

    2,375
    GANB4R8-040CBAZ

    Техническая документация

    - 22-UFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 40 V 20A (Ta) 5V 4.8mOhm @ 10A, 5V 2.4V @ 1mA 15.8 nC @ 5 V 40V 887 pF @ 20 V - 13W (Ta) -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount 22-WLCSP (2.1x2.1)
    MCG60N06YHE3-TP

    MCG60N06YHE3-TP

    N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

    Micro Commercial Co

    10,000
    MCG60N06YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 34.5 nC @ 10 V ±20V 1666 pF @ 30 V - 60W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN3333
    MCAC055P10-TP

    MCAC055P10-TP

    MOSFET P-CH 100 25A DFN5060

    Micro Commercial Co

    9,990
    MCAC055P10-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 50 V - 63W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    Total 36322 Record«Prev1... 261262263264265266267268...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.