БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6004RND3TL1

    R6004RND3TL1

    600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I

    Rohm Semiconductor

    2,700
    R6004RND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.73Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 230 pF @ 100 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    TK5P60W5,RVQ

    TK5P60W5,RVQ

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,000
    TK5P60W5,RVQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Ta) 10V 990mOhm @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 nC @ 10 V ±30V 370 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
    TJ10S04M3L(T6L1,NQ

    TJ10S04M3L(T6L1,NQ

    MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,895
    TJ10S04M3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSVI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 6V, 10V 44mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 19 nC @ 10 V +10V, -20V 930 pF @ 10 V - 27W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    STD3NK50ZT4

    STD3NK50ZT4

    MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK

    STMicroelectronics

    1,870
    STD3NK50ZT4

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.3A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 1.15A, 10V 4.5V @ 50µA 15 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK5P53D(T6RSS-Q)

    TK5P53D(T6RSS-Q)

    MOSFET N-CH 525V 5A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,710
    TK5P53D(T6RSS-Q)

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 5A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    BUK9Y4R8-60RAX

    BUK9Y4R8-60RAX

    BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    1,500
    BUK9Y4R8-60RAX

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NVTFS6H854NLWFTAG

    NVTFS6H854NLWFTAG

    MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

    onsemi

    1,454
    NVTFS6H854NLWFTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 902 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NVTFS6H854NLTAG

    NVTFS6H854NLTAG

    MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

    onsemi

    1,270
    NVTFS6H854NLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 902 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    DIT100N10

    DIT100N10

    MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM

    Diotec Semiconductor

    997
    DIT100N10

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 13mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 50 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PJP100N06SA-AU_T0_006A1

    PJP100N06SA-AU_T0_006A1

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    990
    PJP100N06SA-AU_T0_006A1

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TJ20S04M3L(T6L1,NQ

    TJ20S04M3L(T6L1,NQ

    MOSFET P-CH 40V 20A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    935
    TJ20S04M3L(T6L1,NQ

    Техническая документация

    U-MOSVI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta) 6V, 10V 22.2mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1mA 37 nC @ 10 V +10V, -20V 1850 pF @ 10 V - 41W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    MCAC65N06YHE3-TP

    MCAC65N06YHE3-TP

    MOSFET N-CH 60 65A DFN5060

    Micro Commercial Co

    7,261
    MCAC65N06YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 65A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 34.5 nC @ 10 V ±20V 1740 pF @ 30 V - 100W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060
    MCAC95N04YHE3-TP

    MCAC95N04YHE3-TP

    MOSFET N-CH 40 95A DFN5060

    Micro Commercial Co

    5,000
    MCAC95N04YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 95A (Tc) 6V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 27.7 nC @ 10 V ±20V 1709 pF @ 20 V - 75W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060
    NVMYS3D5N04CTWG

    NVMYS3D5N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4

    onsemi

    2,954
    NVMYS3D5N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24A (Ta), 102A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 60µA 23 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    SI4894BDY-T1-GE3

    SI4894BDY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

    Vishay Siliconix

    2,500
    SI4894BDY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.9A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1580 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NVTFS5C460NLTAG

    NVTFS5C460NLTAG

    MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN

    onsemi

    1,210
    NVTFS5C460NLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 19A (Ta), 74A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 35A, 10V 2V @ 40µA 11 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    SIRA54DP-T1-GE3

    SIRA54DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,980
    SIRA54DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.35mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V +20V, -16V 5300 pF @ 20 V - 36.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STP3NK60Z

    STP3NK60Z

    MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB

    STMicroelectronics

    4,867
    STP3NK60Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 11.8 nC @ 10 V ±30V 311 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    ISZ330N12LM6ATMA1

    ISZ330N12LM6ATMA1

    OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

    Infineon Technologies

    3,719
    ISZ330N12LM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 5.7A (Ta), 24A (Tc) 3.3V, 10V 33mOhm @ 9A, 10V 2.2V @ 11µA 10.1 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 60 V - 2.5W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8 FL
    PJD40P03E-AU_L2_006A1

    PJD40P03E-AU_L2_006A1

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD40P03E-AU_L2_006A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta), 33A (Tc) 4.5V, 10V 18.8mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±25V 1009 pF @ 25 V - 3W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    Total 36322 Record«Prev1... 259260261262263264265266...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.