БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PJQ4526P-AU_R2_002A1

    PJQ4526P-AU_R2_002A1

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    5,000
    PJQ4526P-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJQ2568A_R1_00201

    PJQ2568A_R1_00201

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ2568A_R1_00201

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJQ5526_R2_00201

    PJQ5526_R2_00201

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    2,990
    PJQ5526_R2_00201

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    DMTH47M2LFVWQ-13

    DMTH47M2LFVWQ-13

    MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333

    Diodes Incorporated

    2,860
    DMTH47M2LFVWQ-13

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13.6A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 12.3 nC @ 10 V ±20V 881 pF @ 20 V - 2.9W (Ta), 37.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    PJA3474S-AU_R1_007A1

    PJA3474S-AU_R1_007A1

    100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    Panjit International Inc.

    2,300
    PJA3474S-AU_R1_007A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK7Y113-100EX

    BUK7Y113-100EX

    MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    1,400
    BUK7Y113-100EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 10V 113mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 10.4 nC @ 10 V ±20V 601 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    XP4064CMT

    XP4064CMT

    MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK

    YAGEO XSEMI

    1,000
    XP4064CMT

    Техническая документация

    XP4064C 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31.5A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 19A, 10V 2.3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2048 pF @ 25 V - 5W (Ta), 31.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 5 x 6
    XP3N2R8AMT

    XP3N2R8AMT

    MOSFET N-CH 30V 32.8A 60A PMPAK

    YAGEO XSEMI

    1,000
    XP3N2R8AMT

    Техническая документация

    XP3N2R8A 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32.8A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V 4080 pF @ 15 V - 5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 5 x 6
    XP3R303GMT-L

    XP3R303GMT-L

    MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK

    YAGEO XSEMI

    1,000
    XP3R303GMT-L

    Техническая документация

    XP3R303 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V 2240 pF @ 25 V - 5W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 5 x 6
    DMTH69M8LFVWQ-7

    DMTH69M8LFVWQ-7

    MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

    Diodes Incorporated

    150
    DMTH69M8LFVWQ-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 13.5A, 10V 3V @ 250µA 33.5 nC @ 10 V ±16V 1925 pF @ 30 V - 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    SSM6K818R,LF

    SSM6K818R,LF

    N-CH MOSFET 30V, +/-20V, 15A ,0.

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,583
    SSM6K818R,LF

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 4A, 4.5V 2.1V @ 100µA 7.5 nC @ 4.5 V ±20V 1130 pF @ 15 V - 1.5W (Ta) 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP-F
    SSM6K804R,LF

    SSM6K804R,LF

    N-CH MOSFET 40V, +/-20V, 12A ,0.

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,180
    SSM6K804R,LF

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 4A, 10V 2.4V @ 100µA 7.5 nC @ 4.5 V ±20V 1110 pF @ 20 V - 1.5W (Ta) 175°C - - Surface Mount 6-TSOP-F
    ISZ056N03LF2SATMA1

    ISZ056N03LF2SATMA1

    ISZ056N03LF2SATMA1

    Infineon Technologies

    5,000
    ISZ056N03LF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta), 72A (Tc) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 30µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 1012 pF @ 15 V - 3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8 FL
    TSM180P03CS RLG

    TSM180P03CS RLG

    MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,168
    TSM180P03CS RLG

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 1730 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    XP152A12C0MR-G

    XP152A12C0MR-G

    MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23

    Torex Semiconductor Ltd

    3,000
    XP152A12C0MR-G

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 700mA (Ta) 2.5V, 4.5V 300mOhm @ 400mA, 4.5V 1.2V @ 1mA - ±12V 180 pF @ 10 V - 500mW (Ta) 150°C (TA) - - Surface Mount SOT-23
    FDC5661N

    FDC5661N

    FET 60V 50.0 MOHM SSOT6

    onsemi

    2,885
    FDC5661N

    Техническая документация

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4.3A (Ta) 4.5V, 10V 47mOhm @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 763 pF @ 25 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TSOT-23-6
    DMT3006LFV-13

    DMT3006LFV-13

    MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

    Diodes Incorporated

    2,875
    DMT3006LFV-13

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 8.4 nC @ 10 V ±20V 1155 pF @ 15 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI3333-8
    DMT10H072LFDF-7

    DMT10H072LFDF-7

    MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN

    Diodes Incorporated

    1,980
    DMT10H072LFDF-7

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 62mOhm @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V 266 pF @ 50 V - 800mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
    DMT3009LFVWQ-7

    DMT3009LFVWQ-7

    MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

    Diodes Incorporated

    1,270
    DMT3009LFVWQ-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.8V, 10V 11mOhm @ 14.4A, 10V 3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 823 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    XP83T03GJB

    XP83T03GJB

    MOSFET N-CH 30V 75A TO251S

    YAGEO XSEMI

    970
    XP83T03GJB

    Техническая документация

    XP83T03 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 3V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±20V 1840 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251S
    Total 36322 Record«Prev1... 234235236237238239240241...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.