БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    DMN4030LK3-13

    DMN4030LK3-13

    MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3

    Diodes Incorporated

    2,315
    DMN4030LK3-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9.4A (Ta) 4.5V, 10V 30mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 12.9 nC @ 10 V ±20V 604 pF @ 20 V - 2.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-3
    PJD9P06A-AU_L2_000A1

    PJD9P06A-AU_L2_000A1

    60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    1,906
    PJD9P06A-AU_L2_000A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.5A (Ta), 7A (Tc) 4.5V, 10V 170mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 30 V - 2W (Ta), 15.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    DMN39M1LFVW-7

    DMN39M1LFVW-7

    MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

    Diodes Incorporated

    1,855
    DMN39M1LFVW-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2387 pF @ 15 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    NTTFS024N06CTAG

    NTTFS024N06CTAG

    MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN

    onsemi

    1,500
    NTTFS024N06CTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta), 24A (Tc) 10V 22.6mOhm @ 3A, 10V 4V @ 20µA 5.7 nC @ 10 V ±20V 333 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    DMT3009LFVW-7

    DMT3009LFVW-7

    MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

    Diodes Incorporated

    4,650
    DMT3009LFVW-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 3.8V, 10V 11mOhm @ 14.4A, 10V 3V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 823 pF @ 15 V - 2.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
    TSM7P06CP ROG

    TSM7P06CP ROG

    MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,003
    TSM7P06CP ROG

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Tc) 4.5V, 10V 180mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 425 pF @ 30 V - 15.6W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    DI050N06D1-AQ

    DI050N06D1-AQ

    MOSFET DPAK N 60V 50A 0.0085OHM

    Diotec Semiconductor

    2,455
    DI050N06D1-AQ

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 825 pF @ 30 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    TSM150P03PQ33 RGG

    TSM150P03PQ33 RGG

    MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    19,728
    TSM150P03PQ33 RGG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 29.3 nC @ 10 V ±20V 1829 pF @ 15 V - 27.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
    IRF8714TRPBFXTMA1

    IRF8714TRPBFXTMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    3,490
    IRF8714TRPBFXTMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    DMTH4008LPS-13

    DMTH4008LPS-13

    MOSFET N-CH 40V PWRDI5060

    Diodes Incorporated

    2,350
    DMTH4008LPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14.4A (Ta), 64.8A (Tc) 5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 1088 pF @ 20 V - 2.99W (Ta), 55.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
    DMT2004UFG-7

    DMT2004UFG-7

    MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

    Diodes Incorporated

    1,988
    DMT2004UFG-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 70A (Tc) 2.5V, 10V 5mOhm @ 12A, 10V 1.45V @ 250µA 53.7 nC @ 10 V ±12V 1683 pF @ 15 V - 2.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI3333-8
    TSM300NB06LCV RGG

    TSM300NB06LCV RGG

    60V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    10,000
    TSM300NB06LCV RGG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta), 24A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 962 pF @ 30 V - 1.9W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
    TSM085NB03CV RGG

    TSM085NB03CV RGG

    30V, 58A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    10,000
    TSM085NB03CV RGG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1101 pF @ 15 V - 1.92W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
    TSM150NB04LCV RGG

    TSM150NB04LCV RGG

    40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    9,938
    TSM150NB04LCV RGG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 8A (Ta), 36A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 1013 pF @ 20 V - 1.9W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3.15x3.1)
    PXN011-100QSJ

    PXN011-100QSJ

    N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, STANDA

    Nexperia USA Inc.

    5,163
    PXN011-100QSJ

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A 10V - - 25 nC @ 10 V - - - 66W - - - Surface Mount MLPAK33
    PJQ4526P_R2_00201

    PJQ4526P_R2_00201

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    5,000
    PJQ4526P_R2_00201

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJQ5528_R2_00201

    PJQ5528_R2_00201

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5528_R2_00201

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    DMP3013SFK-7

    DMP3013SFK-7

    MOSFET P-CH 30V DFN2523-6

    Diodes Incorporated

    2,488
    DMP3013SFK-7

    Техническая документация

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active - - - 10.5A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount U-DFN2523-6
    PXN011-100QLJ

    PXN011-100QLJ

    N-CHANNEL 100 V, 11 MOHM, LOGIC

    Nexperia USA Inc.

    2,478
    PXN011-100QLJ

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A 4.5V, 10V - - - - - - 66W - - - Surface Mount MLPAK33
    CSD25202W15

    CSD25202W15

    MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

    Texas Instruments

    2,590
    CSD25202W15

    Техническая документация

    NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V 1.05V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V -6V 1010 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-DSBGA
    Total 36322 Record«Prev1... 231232233234235236237238...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.