БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      SQJ416EP-T1_BE3

      SQJ416EP-T1_BE3

      N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

      Vishay Siliconix

      		 12,000
      Запрос на предложение
      		SQJ416EP-T1_BE3

      Техническая документация

             		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 27A (Tc) 10V 30mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      TPN7R506NH,L1Q

      TPN7R506NH,L1Q

      MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 11,620
      Запрос на предложение
      		TPN7R506NH,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Tc) 6.5V, 10V 7.5mOhm @ 13A, 10V 4V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 30 V - 700mW (Ta), 42W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
      BUK9Y14-40B,115

      BUK9Y14-40B,115

      MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 7,280
      Запрос на предложение
      		BUK9Y14-40B,115

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Tc) 5V 11mOhm @ 20A, 10V 2V @ 1mA 21 nC @ 5 V ±15V 1800 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      IPD90N04S404ATMA1

      IPD90N04S404ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 4,937
      Запрос на предложение
      		IPD90N04S404ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 90A, 10V 4V @ 35µA 43 nC @ 10 V ±20V 3440 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
      ISC036N04NM5ATMA1

      ISC036N04NM5ATMA1

      40V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

      Infineon Technologies

      		 3,418
      Запрос на предложение
      		ISC036N04NM5ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 21A (Ta), 98A (Tc) 7V, 10V 3.6mOhm @ 49A, 10V 3.4V @ 23µA 28 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 20 V - 3W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
      DMT6010LPS-13

      DMT6010LPS-13

      MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060

      Diodes Incorporated

      		 3,135
      Запрос на предложение
      		DMT6010LPS-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 41.3 nC @ 10 V ±20V 2090 pF @ 30 V - 2.2W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
      FDMC7696

      FDMC7696

      MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP

      onsemi

      		 2,062
      Запрос на предложение
      		FDMC7696

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 11.5mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1430 pF @ 15 V - 2.4W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
      BUK7Y7R6-40EX

      BUK7Y7R6-40EX

      MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 1,406
      Запрос на предложение
      		BUK7Y7R6-40EX

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 79A (Tc) 10V 7.6mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 26.2 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 94.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      CSD13302WT

      CSD13302WT

      MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

      Texas Instruments

      		 1,237
      Запрос на предложение
      		CSD13302WT

      Техническая документация

             		NexFET™ 4-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 1.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 17.1mOhm @ 1A, 4.5V 1.3V @ 250µA 7.8 nC @ 4.5 V ±10V 862 pF @ 6 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
      RQ7E110AJTCR

      RQ7E110AJTCR

      MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8

      Rohm Semiconductor

      		 584
      Запрос на предложение
      		RQ7E110AJTCR

      Техническая документация

             		- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Tc) 4.5V 9mOhm @ 4.5A, 11V 1.5V @ 10mA 22 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 15 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
      IPA60R600P7SXKSA1

      IPA60R600P7SXKSA1

      MOSFET N-CH 600V 6A TO220

      Infineon Technologies

      		 449
      Запрос на предложение
      		IPA60R600P7SXKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V 363 pF @ 400 V - 21W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      IPU95R3K7P7AKMA1

      IPU95R3K7P7AKMA1

      MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3

      Infineon Technologies

      		 304
      Запрос на предложение
      		IPU95R3K7P7AKMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 2A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 800mA, 10V 3.5V @ 40µA 6 nC @ 10 V ±20V 196 pF @ 400 V - 22W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
      VN0606L-G

      VN0606L-G

      MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3

      Microchip Technology

      		 302
      Запрос на предложение
      		VN0606L-G

      Техническая документация

             		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 330mA (Tj) 10V 3Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - ±30V 50 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
      SQJ457EP-T2_GE3

      SQJ457EP-T2_GE3

      P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

      Vishay Siliconix

      		 12,701
      Запрос на предложение
      		SQJ457EP-T2_GE3

      Техническая документация

             		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SIR122DP-T1-RE3

      SIR122DP-T1-RE3

      MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 12,205
      Запрос на предложение
      		SIR122DP-T1-RE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) 7.5V, 10V 7.4mOhm @ 10A, 10V 3.8V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 40 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      SI4850BDY-T1-GE3

      SI4850BDY-T1-GE3

      MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 7,297
      Запрос на предложение
      		SI4850BDY-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) 4.5V, 10V 19.5mOhm @ 10A, 10V 2.8V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      BUK7M6R3-40EX

      BUK7M6R3-40EX

      MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK33

      Nexperia USA Inc.

      		 2,958
      Запрос на предложение
      		BUK7M6R3-40EX

      Техническая документация

             		- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 28.1 nC @ 10 V ±20V 1912 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
      IRFR110PBF

      IRFR110PBF

      MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 3,222
      Запрос на предложение
      		IRFR110PBF

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 10V 540mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      AOT5N50

      AOT5N50

      MOSFET N-CH 500V 5A TO220

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 476
      Запрос на предложение
      		AOT5N50

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      SIA421DJ-T1-GE3

      SIA421DJ-T1-GE3

      MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6

      Vishay Siliconix

      		 55,270
      Запрос на предложение
      		SIA421DJ-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 5.3A, 10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 15 V - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
      Total 36322 Record«Prev1... 1415161718192021...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]