БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFX20N80Q

    IXFX20N80Q

    MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3

    IXYS

    8,201
    IXFX20N80Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 420mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFX30N50

    IXFX30N50

    MOSFET N-CH PLUS247

    IXYS

    9,326
    IXFX30N50

    Техническая документация

    - - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IXTH21N50Q

    IXTH21N50Q

    MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

    IXYS

    4,028
    IXTH21N50Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    IXFT26N50Q TR

    IXFT26N50Q TR

    MOSFET N-CH 500V 26A TO268

    IXYS

    6,163
    IXFT26N50Q TR

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 200mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    IXFT40N30Q TR

    IXFT40N30Q TR

    MOSFET N-CH 300V 40A TO268

    IXYS

    8,730
    IXFT40N30Q TR

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 40A (Tc) 10V 85mOhm @ 20A, 10V 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±20V 3560 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    IXFT58N20Q TRL

    IXFT58N20Q TRL

    MOSFET N-CH 200V 58A TO268

    IXYS

    7,162
    IXFT58N20Q TRL

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 58A (Tc) 10V 40mOhm @ 29A, 10V 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    IPC50R045CPX1SA1

    IPC50R045CPX1SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    7,622
    IPC50R045CPX1SA1

    Техническая документация

    - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC90R1K0C3X1SA1

    IPC90R1K0C3X1SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    6,624
    IPC90R1K0C3X1SA1

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC90R1K2C3X1SA1

    IPC90R1K2C3X1SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    8,256
    IPC90R1K2C3X1SA1

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC90R500C3X1SA1

    IPC90R500C3X1SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    3,406
    IPC90R500C3X1SA1

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC90R800C3X1SA1

    IPC90R800C3X1SA1

    MOSFET N-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    6,262
    IPC90R800C3X1SA1

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SISC097N24DX1SA1

    SISC097N24DX1SA1

    TRANSISTOR P-CH BARE DIE

    Infineon Technologies

    3,095
    SISC097N24DX1SA1

    Техническая документация

    - - Bulk Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPC302N08N3X2SA1

    IPC302N08N3X2SA1

    MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER

    Infineon Technologies

    2,690
    IPC302N08N3X2SA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPD65R1K5CEAUMA1

    IPD65R1K5CEAUMA1

    MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,163
    IPD65R1K5CEAUMA1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPN70R1K0CEATMA1

    IPN70R1K0CEATMA1

    MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223

    Infineon Technologies

    8,748
    IPN70R1K0CEATMA1

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 7.4A (Tc) 10V 1Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 150µA 14.9 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 5W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
    IPS65R650CEAKMA1

    IPS65R650CEAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3

    Infineon Technologies

    3,250
    IPS65R650CEAKMA1

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 10.1A (Tc) 10V 650mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 86W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    IPSA70R1K4CEAKMA1

    IPSA70R1K4CEAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3

    Infineon Technologies

    4,007
    IPSA70R1K4CEAKMA1

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    IPSA70R2K0CEAKMA1

    IPSA70R2K0CEAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3

    Infineon Technologies

    8,285
    IPSA70R2K0CEAKMA1

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 70µA 7.8 nC @ 10 V ±20V 163 pF @ 100 V - 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    SQP90142E_GE3

    SQP90142E_GE3

    MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB

    Vishay Siliconix

    3,407
    SQP90142E_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 78.5A (Tc) 10V 15.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB
    DMG10N60SCT

    DMG10N60SCT

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

    Diodes Incorporated

    6,178
    DMG10N60SCT

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1587 pF @ 16 V - 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (Type TH)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.