БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    APT5025BN

    APT5025BN

    MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD

    Microsemi Corporation

    9,812
    APT5025BN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 23A (Tc) 10V 250mOhm @ 11.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT6030BN

    APT6030BN

    MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

    Microsemi Corporation

    9,500
    APT6030BN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 300mOhm @ 11.5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT6040BN

    APT6040BN

    MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

    Microsemi Corporation

    8,063
    APT6040BN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT6040BNG

    APT6040BNG

    MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

    Microsemi Corporation

    9,818
    APT6040BNG

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 400mOhm @ 9A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT8018JN

    APT8018JN

    MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    6,899
    APT8018JN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 40A (Tc) 10V 180mOhm @ 20A, 10V 4V @ 5mA 700 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT8075BN

    APT8075BN

    MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

    Microsemi Corporation

    3,045
    APT8075BN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 750mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT58MJ50J

    APT58MJ50J

    MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    8,525
    APT58MJ50J

    Техническая документация

    POWER MOS 8™ SOT-227-4, miniBLOC Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 58A (Tc) 10V 65mOhm @ 42A, 10V 5V @ 2.5mA 340 nC @ 10 V ±30V 13500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT10M07JVR

    APT10M07JVR

    MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    7,492
    APT10M07JVR

    Техническая документация

    POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 225A (Tc) 10V - 4V @ 5mA 1050 nC @ 10 V ±30V 21600 pF @ 25 V - 700W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT10M11JVR

    APT10M11JVR

    MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    9,886
    APT10M11JVR

    Техническая документация

    POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 144A (Tc) 10V - 4V @ 2.5mA 450 nC @ 10 V ±30V 10300 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT4012BVR

    APT4012BVR

    MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

    Microsemi Corporation

    8,956
    APT4012BVR

    Техническая документация

    POWER MOS V® TO-247-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 37A (Tc) 10V 120mOhm @ 18.5A, 10V 4V @ 1mA 290 nC @ 10 V ±30V 5400 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT4012BVRG

    APT4012BVRG

    MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

    Microsemi Corporation

    5,122
    APT4012BVRG

    Техническая документация

    POWER MOS V® TO-247-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 37A (Tc) 10V 120mOhm @ 18.5A, 10V 4V @ 1mA 290 nC @ 10 V ±30V 5400 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT12080JVR

    APT12080JVR

    MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    4,741
    APT12080JVR

    Техническая документация

    POWER MOS V® SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 15A (Tc) 10V 800mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 2.5mA 485 nC @ 10 V ±30V 7800 pF @ 25 V - 450W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    SI4010DY-T1-GE3

    SI4010DY-T1-GE3

    MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

    Vishay Siliconix

    6,340
    SI4010DY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31.3A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V, -16V 3595 pF @ 15 V - 6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount 8-SOIC
    SI4776DY-T1-GE3

    SI4776DY-T1-GE3

    MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO

    Vishay Siliconix

    7,476
    SI4776DY-T1-GE3

    Техническая документация

    SkyFET®, TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.9A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 1mA 17.5 nC @ 10 V ±20V 521 pF @ 15 V - 4.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TA) - - Surface Mount 8-SOIC
    AOT10N60L

    AOT10N60L

    MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    8,363
    AOT10N60L

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOD4T60

    AOD4T60

    MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    9,388
    AOD4T60

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 2.1Ohm @ 1A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    AOT10T60P

    AOT10T60P

    MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,851
    AOT10T60P

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 700mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1595 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOT11C60

    AOT11C60

    MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    5,090
    AOT11C60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AOTF12T60

    AOTF12T60

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    3,898
    AOTF12T60

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 520mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1954 pF @ 100 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    AOTF12T60L

    AOTF12T60L

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,221
    AOTF12T60L

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 520mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1954 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.