БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RSS090P03FU7TB

    RSS090P03FU7TB

    MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    9,061
    RSS090P03FU7TB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta) 4V, 10V 14mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 39 nC @ 5 V ±20V 4000 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    N0300N-T1B-AT

    N0300N-T1B-AT

    MOSFET N-CH 30V 4.5A SC96-3

    Renesas Electronics Corporation

    8,606
    N0300N-T1B-AT

    Техническая документация

    - SC-96 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 2A, 10V - - ±20V 350 pF @ 10 V - 1.25W (Ta) 150°C - - Surface Mount SC-96-3, Thin Mini Mold
    IPS040N03LGAKMA1

    IPS040N03LGAKMA1

    MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3

    Infineon Technologies

    5,847
    IPS040N03LGAKMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 38 nC @ 10 V - 3900 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
    2SJ668(TE16L1,NQ)

    2SJ668(TE16L1,NQ)

    MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

    Toshiba Semiconductor and Storage

    9,417
    2SJ668(TE16L1,NQ)

    Техническая документация

    U-MOSIII TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 170mOhm @ 2.5A, 10V 2V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C - - Surface Mount PW-MOLD
    SQD40030E_GE3

    SQD40030E_GE3

    MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

    Vishay Siliconix

    3,545
    SQD40030E_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V - - 65 nC @ 10 V - - - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    SQM40010EL_GE3

    SQM40010EL_GE3

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    Vishay Siliconix

    3,475
    SQM40010EL_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 17100 pF @ 20 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STP80NF55-08AG

    STP80NF55-08AG

    MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220

    STMicroelectronics

    4,741
    STP80NF55-08AG

    Техническая документация

    STripFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220
    IXFH21N50F

    IXFH21N50F

    MOSFET N-CH 500V 21A TO247

    IXYS

    3,279
    IXFH21N50F

    Техническая документация

    HiPerRF™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 21A (Tc) 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 77 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFK21N100F

    IXFK21N100F

    MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

    IXYS

    8,174
    IXFK21N100F

    Техническая документация

    HiPerRF™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 21A (Tc) 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 5.5V @ 4mA 160 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
    IXFN55N50F

    IXFN55N50F

    MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

    IXYS

    5,033
    IXFN55N50F

    Техническая документация

    HiPerFET™, F Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 55A (Tc) 10V 85mOhm @ 27.5A, 10V 5.5V @ 8mA 195 nC @ 10 V ±20V 6700 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    APT1001R1BN

    APT1001R1BN

    MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

    Microchip Technology

    6,643
    APT1001R1BN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 10.5A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5.25A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT1001RBN

    APT1001RBN

    MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

    Microchip Technology

    8,115
    APT1001RBN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 11A (Tc) 10V 1Ohm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±30V 2950 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT1002RBNG

    APT1002RBNG

    MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

    Microsemi Corporation

    2,649
    APT1002RBNG

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 8A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 105 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT4065BNG

    APT4065BNG

    MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

    Microsemi Corporation

    2,899
    APT4065BNG

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 11A (Tc) 10V 650mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 950 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT40M42JN

    APT40M42JN

    MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    4,549
    APT40M42JN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 86A (Tc) 10V 42mOhm @ 43A, 10V 4V @ 5mA 760 nC @ 10 V ±30V 14000 pF @ 25 V - 690W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT40M75JN

    APT40M75JN

    MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    4,050
    APT40M75JN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 56A (Tc) 10V 75mOhm @ 28A, 10V 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V ±30V 6800 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT5012JN

    APT5012JN

    MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

    Microsemi Corporation

    4,601
    APT5012JN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® SOT-227-4, miniBLOC Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 43A (Tc) 10V 120mOhm @ 21.5A, 10V 4V @ 2.5mA 370 nC @ 10 V ±30V 6500 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount ISOTOP®
    APT5020BN

    APT5020BN

    MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

    Microchip Technology

    8,858
    APT5020BN

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT5020BNFR

    APT5020BNFR

    MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD

    Microchip Technology

    4,485
    APT5020BNFR

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 28A (Tc) 10V 200mOhm @ 14A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    APT5022BNG

    APT5022BNG

    MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD

    Microsemi Corporation

    9,853
    APT5022BNG

    Техническая документация

    POWER MOS IV® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 27A (Tc) 10V 220mOhm @ 13.5A, 10V 4V @ 1mA 210 nC @ 10 V ±30V 3500 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.