БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    DMG3N60SCT

    DMG3N60SCT

    MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

    Diodes Incorporated

    2,670
    DMG3N60SCT

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 12.6 nC @ 10 V ±30V 354 pF @ 25 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB (Type TH)
    DMG7N65SCT

    DMG7N65SCT

    MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

    Diodes Incorporated

    8,815
    DMG7N65SCT

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 25.2 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB (Type TH)
    DMG7N65SJ3

    DMG7N65SJ3

    MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251

    Diodes Incorporated

    2,066
    DMG7N65SJ3

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 5.5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 50 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-251
    DMG8N65SCT

    DMG8N65SCT

    MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

    Diodes Incorporated

    5,886
    DMG8N65SCT

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1217 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-220AB (Type TH)
    DMJ70H900HJ3

    DMJ70H900HJ3

    MOSFET N-CH 700V 7A TO251

    Diodes Incorporated

    5,232
    DMJ70H900HJ3

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 7A (Tc) 10V 900mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 18.4 nC @ 10 V ±30V 603 pF @ 50 V - 68W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-251
    DMN3110LCP3-7

    DMN3110LCP3-7

    MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN

    Diodes Incorporated

    6,505
    DMN3110LCP3-7

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) 1.8V, 8V 69mOhm @ 500mA, 8V 1.1V @ 250µA 1.52 nC @ 4.5 V 12V 150 pF @ 15 V - 1.38W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X2-DFN1006-3
    DMN60H3D5SK3-13

    DMN60H3D5SK3-13

    MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252

    Diodes Incorporated

    6,827
    DMN60H3D5SK3-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.8A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 12.6 nC @ 10 V ±30V 354 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    DMN60H4D5SK3-13

    DMN60H4D5SK3-13

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252

    Diodes Incorporated

    4,619
    DMN60H4D5SK3-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.5A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±30V 273.5 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    DMN80H2D0SCTI

    DMN80H2D0SCTI

    MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

    Diodes Incorporated

    8,617
    DMN80H2D0SCTI

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 2Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 35.4 nC @ 10 V ±30V 1253 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
    DMP2042UCB4-7

    DMP2042UCB4-7

    MOSFET P-CH 20V 4.6A U-WLB1010-4

    Diodes Incorporated

    3,228
    DMP2042UCB4-7

    Техническая документация

    - 4-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 45mOhm @ 1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 2.5 nC @ 4.5 V -6V 218 pF @ 10 V - 1.4W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1010-4
    DMP3017SFV-13

    DMP3017SFV-13

    MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333

    Diodes Incorporated

    4,291
    DMP3017SFV-13

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 11.5A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±25V 2246 pF @ 15 V - 31W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI3333-8
    DMP3017SFV-7

    DMP3017SFV-7

    MOSFET P-CH 30V 40A POWERDI3333

    Diodes Incorporated

    9,772
    DMP3017SFV-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 11.5A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±25V 2246 pF @ 15 V - 31W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI3333-8
    FCP11N60N-F102

    FCP11N60N-F102

    MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F

    onsemi

    9,988
    FCP11N60N-F102

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.8A (Tc) 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35.6 nC @ 10 V ±30V 1505 pF @ 100 V - 94W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    FCP16N60N-F102

    FCP16N60N-F102

    MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

    onsemi

    2,622
    FCP16N60N-F102

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 199mOhm @ 8A, 10V 4V @ 250µA 52.3 nC @ 10 V ±30V 2170 pF @ 100 V - 134.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    FDMA008P20LZ

    FDMA008P20LZ

    MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN

    onsemi

    5,147
    FDMA008P20LZ

    Техническая документация

    - 6-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Ta) 1.5V, 4.5V 13mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.4V @ 250µA 39 nC @ 4.5 V ±8V 4383 pF @ 10 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-PQFN (2x2)
    FDMC013P030Z

    FDMC013P030Z

    MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP

    onsemi

    7,870
    FDMC013P030Z

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 3V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V 5785 pF @ 15 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
    FDP032N08-F102

    FDP032N08-F102

    MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220

    onsemi

    5,911
    FDP032N08-F102

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 15160 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FDP038AN06A0-F102

    FDP038AN06A0-F102

    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

    onsemi

    3,943
    FDP038AN06A0-F102

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 6V, 10V 3.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 124 nC @ 10 V ±20V 6400 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FQD5N50CTM-WS

    FQD5N50CTM-WS

    MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252

    onsemi

    7,984
    FQD5N50CTM-WS

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 625 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    TSM1NB60SCT A3G

    TSM1NB60SCT A3G

    MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,091
    TSM1NB60SCT A3G

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 500mA (Tc) 10V 10Ohm @ 250mA, 10V 4.5V @ 250µA 6.1 nC @ 10 V ±30V 138 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.