БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    HUF76629D3ST-F085

    HUF76629D3ST-F085

    MOSFET N-CH 100V 20A TO252

    onsemi

    9,278
    HUF76629D3ST-F085

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 1280 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    HUF76419S3ST-F085

    HUF76419S3ST-F085

    MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

    onsemi

    5,935
    HUF76419S3ST-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Tc) 10V 35mOhm @ 29A, 10V 3V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDPF035N06B-F152

    FDPF035N06B-F152

    MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F

    onsemi

    7,843
    FDPF035N06B-F152

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 88A (Tc) - 3.5mOhm @ 88A, 10V 4V @ 250µA 99 nC @ 10 V - 8030 pF @ 30 V - 46.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FCPF190N60-F152

    FCPF190N60-F152

    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

    onsemi

    3,409
    FCPF190N60-F152

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 199mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IPD60R600P6

    IPD60R600P6

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,517
    IPD60R600P6

    Техническая документация

    CoolMOS™ P6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V - 12 nC @ 10 V ±20V 557 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    ZXMP3F35N8TA

    ZXMP3F35N8TA

    MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

    Diodes Incorporated

    9,360
    ZXMP3F35N8TA

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.3A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 12A, 10V 2.6V @ 250µA 77.1 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    ZXMP3F36N8TA

    ZXMP3F36N8TA

    MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO

    Diodes Incorporated

    6,249
    ZXMP3F36N8TA

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.2A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 43.9 nC @ 15 V ±20V 2265 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    ZXMP3F37N8TA

    ZXMP3F37N8TA

    MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SO

    Diodes Incorporated

    9,165
    ZXMP3F37N8TA

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.4A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 7.1A, 10V 2.5V @ 250µA 31.6 nC @ 10 V ±20V 1678 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    APTC90DAM60T1G

    APTC90DAM60T1G

    MOSFET N-CH 900V 59A SP1

    Microsemi Corporation

    9,077
    APTC90DAM60T1G

    Техническая документация

    CoolMOS™ SP1 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 59A (Tc) 10V 60mOhm @ 52A, 10V 3.5V @ 6mA 540 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 100 V - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    HN4K03JUTE85LF

    HN4K03JUTE85LF

    MOSFET N-CH 20V 100MA USV

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,892
    HN4K03JUTE85LF

    Техническая документация

    - 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100mA (Ta) 2.5V 12Ohm @ 10mA, 2.5V - - 10V 8.5 pF @ 3 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-SSOP
    SSM3K01T(TE85L,F)

    SSM3K01T(TE85L,F)

    MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,228
    SSM3K01T(TE85L,F)

    Техническая документация

    π-MOSVI TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) 2.5V, 4V 120mOhm @ 1.6A, 4V - - ±10V 152 pF @ 10 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSM
    APT38N60SC6

    APT38N60SC6

    MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

    Microsemi Corporation

    9,464
    APT38N60SC6

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 112 nC @ 10 V ±20V 2826 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
    APT33N90JCCU2

    APT33N90JCCU2

    MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

    Microsemi Corporation

    6,636
    APT33N90JCCU2

    Техническая документация

    - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 33A (Tc) 10V 120mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 3mA 270 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - 290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
    APTC90DAM60CT1G

    APTC90DAM60CT1G

    MOSFET N-CH 900V 59A SP1

    Microsemi Corporation

    2,790
    APTC90DAM60CT1G

    Техническая документация

    CoolMOS™ SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 59A (Tc) 10V 60mOhm @ 52A, 10V 3.5V @ 6mA 540 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 100 V - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    APT12067B2LLG

    APT12067B2LLG

    MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

    Microsemi Corporation

    8,041
    APT12067B2LLG

    Техническая документация

    POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 18A (Tc) 10V 670mOhm @ 9A, 10V 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V ±30V 4420 pF @ 25 V - 565W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
    APT18M80S

    APT18M80S

    MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK

    Microsemi Corporation

    5,835
    APT18M80S

    Техническая документация

    POWER MOS 8™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 19A (Tc) 10V 530mOhm @ 9A, 10V 5V @ 1mA 120 nC @ 10 V ±30V 3760 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
    APTC90SKM60CT1G

    APTC90SKM60CT1G

    MOSFET N-CH 900V 59A SP1

    Microchip Technology

    3,052
    APTC90SKM60CT1G

    Техническая документация

    CoolMOS™ SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 59A (Tc) 10V 60mOhm @ 52A, 10V 3.5V @ 6mA 540 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 100 V - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
    JAN2N6756

    JAN2N6756

    MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA

    Microsemi Corporation

    3,757
    JAN2N6756

    Техническая документация

    - TO-204AA, TO-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 210mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V - - 4W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/542 Through Hole TO-204AA (TO-3)
    JAN2N6764

    JAN2N6764

    MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE

    Microsemi Corporation

    7,628
    JAN2N6764

    Техническая документация

    - TO-204AE Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 65mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V - - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/543 Through Hole -
    JAN2N6766

    JAN2N6766

    MOSFET N-CH 200V 30A TO3

    Microsemi Corporation

    8,868
    JAN2N6766

    Техническая документация

    - TO-204AE Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 30A (Tc) 10V 90mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 115 nC @ 10 V ±20V - - 4W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Military MIL-PRF-19500/543 Through Hole TO-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.