БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RJK6020DPK-00#T0

    RJK6020DPK-00#T0

    MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

    Renesas Electronics Corporation

    6,091
    RJK6020DPK-00#T0

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 32A (Ta) 10V 175mOhm @ 16A, 10V - 121 nC @ 10 V ±30V 5150 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    RJK6032DPH-E0#T2

    RJK6032DPH-E0#T2

    MOSFET N-CH 600V 3A TO251

    Renesas Electronics Corporation

    3,988
    RJK6032DPH-E0#T2

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1.5A, 10V - 9 nC @ 10 V ±30V 285 pF @ 25 V - 40.3W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251
    RJL5012DPE-00#J3

    RJL5012DPE-00#J3

    MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

    Renesas Electronics Corporation

    7,665
    RJL5012DPE-00#J3

    Техническая документация

    - SC-83 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V - 27.8 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
    RJL5012DPP-M0#T2

    RJL5012DPP-M0#T2

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220FL

    Renesas Electronics Corporation

    8,365
    RJL5012DPP-M0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V - 27.8 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
    RJL5014DPK-00#T0

    RJL5014DPK-00#T0

    MOSFET N-CH 500V 19A TO3P

    Renesas Electronics Corporation

    8,827
    RJL5014DPK-00#T0

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Ta) 10V 400mOhm @ 9.5A, 10V - 43 nC @ 10 V ±30V 1700 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    RJL5020DPK-00#T0

    RJL5020DPK-00#T0

    MOSFET N-CH 500V 38A TO3P

    Renesas Electronics Corporation

    9,043
    RJL5020DPK-00#T0

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 38A (Ta) 10V 135mOhm @ 19A, 10V - 140 nC @ 10 V ±30V 4750 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    RJL6012DPE-00#J3

    RJL6012DPE-00#J3

    MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK

    Renesas Electronics Corporation

    8,732
    RJL6012DPE-00#J3

    Техническая документация

    - SC-83 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V - 28 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
    RJL6018DPK-00#T0

    RJL6018DPK-00#T0

    MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

    Renesas Electronics Corporation

    6,534
    RJL6018DPK-00#T0

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Ta) 10V 265mOhm @ 13.5A, 10V - 98 nC @ 10 V ±30V 3830 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    RJL6020DPK-00#T0

    RJL6020DPK-00#T0

    MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

    Renesas Electronics Corporation

    4,473
    RJL6020DPK-00#T0

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Ta) 10V 210mOhm @ 15A, 10V - 130 nC @ 10 V ±30V 4750 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    UPA2735GR-E1-AT

    UPA2735GR-E1-AT

    MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    8,763
    UPA2735GR-E1-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 5mOhm @ 16A, 10V - 195 nC @ 10 V ±20V 6250 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UPA2736GR-E1-AT

    UPA2736GR-E1-AT

    MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    4,396
    UPA2736GR-E1-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UPA2737GR-E1-AT

    UPA2737GR-E1-AT

    MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    9,694
    UPA2737GR-E1-AT

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11A, 10V - 45 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UPA2738GR-E1-AT

    UPA2738GR-E1-AT

    MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    9,283
    UPA2738GR-E1-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V - 37 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    UPA2812T1L-E2-AT

    UPA2812T1L-E2-AT

    MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON

    Renesas Electronics Corporation

    7,333
    UPA2812T1L-E2-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 30A, 10V - 100 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    UPA2813T1L-E2-AT

    UPA2813T1L-E2-AT

    MOSFET P-CH 30V 27A 8HWSON

    Renesas Electronics Corporation

    6,815
    UPA2813T1L-E2-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 27A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 27A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    UPA2821T1L-E1-AT

    UPA2821T1L-E1-AT

    MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON

    Renesas Electronics Corporation

    2,075
    UPA2821T1L-E1-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 26A, 10V - 51 nC @ 10 V ±20V 2490 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    UPA2822T1L-E1-AT

    UPA2822T1L-E1-AT

    MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON

    Renesas Electronics Corporation

    3,934
    UPA2822T1L-E1-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 34A, 10V - 83 nC @ 10 V ±20V 4660 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    DMG4N65CTI

    DMG4N65CTI

    MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB

    Diodes Incorporated

    3,443
    DMG4N65CTI

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 8.35W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
    SIA439EDJ-T1-GE3

    SIA439EDJ-T1-GE3

    MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6

    Vishay Siliconix

    3,415
    SIA439EDJ-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 28A (Tc) 1.8V, 4.5V 16.5mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 69 nC @ 8 V ±8V 2410 pF @ 10 V - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
    EPC2018

    EPC2018

    GANFET N-CH 150V 12A DIE

    EPC

    4,747
    EPC2018

    Техническая документация

    eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 150 V 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V +6V, -5V 540 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.