БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRFS8408-7TRR

    AUIRFS8408-7TRR

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,489
    AUIRFS8408-7TRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-900
    AUIRFS8405TRL

    AUIRFS8405TRL

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,205
    AUIRFS8405TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFSL8405

    AUIRFSL8405

    MOSFET N-CH 40V 120A TO262

    Infineon Technologies

    9,560
    AUIRFSL8405

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRFU8403

    AUIRFU8403

    MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

    Infineon Technologies

    2,184
    AUIRFU8403

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRFS8403

    AUIRFS8403

    MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,240
    AUIRFS8403

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 123A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFSL8403

    AUIRFSL8403

    MOSFET N-CH 40V 123A TO262

    Infineon Technologies

    4,648
    AUIRFSL8403

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 123A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRFS8405

    AUIRFS8405

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,521
    AUIRFS8405

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFS8407

    AUIRFS8407

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,661
    AUIRFS8407

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7330 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFS8408

    AUIRFS8408

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,745
    AUIRFS8408

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 nC @ 10 V ±20V 10820 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS8408-7P

    AUIRFS8408-7P

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,741
    AUIRFS8408-7P

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-900
    AUIRFS8409

    AUIRFS8409

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,470
    AUIRFS8409

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFR8401

    AUIRFR8401

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

    Infineon Technologies

    6,127
    AUIRFR8401

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFU8405

    AUIRFU8405

    MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

    Infineon Technologies

    5,228
    AUIRFU8405

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V 3.9V @ 100µA 155 nC @ 10 V ±20V 5171 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRFU8401

    AUIRFU8401

    MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

    Infineon Technologies

    5,759
    AUIRFU8401

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 500µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    SK8603180L

    SK8603180L

    MOSFET N-CH 30V 15A/39A 8HSO

    Panasonic Electronic Components

    3,110
    SK8603180L

    Техническая документация

    - 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1.45mA 9.2 nC @ 4.5 V ±20V 1680 pF @ 10 V - 2.4W (Ta), 19W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSO8-F4-B
    SK8603190L

    SK8603190L

    MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO

    Panasonic Electronic Components

    4,273
    SK8603190L

    Техническая документация

    - 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 8A, 10V 3V @ 1.01mA 6.3 nC @ 4.5 V ±20V 1092 pF @ 10 V - 2.7W (Ta), 19W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSO8-F4-B
    SCT2120AFC

    SCT2120AFC

    SICFET N-CH 650V 29A TO220AB

    Rohm Semiconductor

    2,037
    SCT2120AFC

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 18V 156mOhm @ 10A, 18V 4V @ 3.3mA 61 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFH4213TRPBF

    IRFH4213TRPBF

    MOSFET N-CH 25V 41A PQFN

    Infineon Technologies

    3,365
    IRFH4213TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 41A (Ta) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 3420 pF @ 13 V - 3.6W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRFHM4226TRPBF

    IRFHM4226TRPBF

    MOSFET N CH 25V 28A PQFN

    Infineon Technologies

    8,716
    IRFHM4226TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-TQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 28A (Ta) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 13 V - 2.7W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
    TK8A10K3,S5Q

    TK8A10K3,S5Q

    MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    7,485
    TK8A10K3,S5Q

    Техническая документация

    U-MOSIV TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Ta) 10V 120mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 12.9 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 10 V - 18W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.