БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PSMN4R6-100XS,127

    PSMN4R6-100XS,127

    MOSFET N-CH 100V 70.4A TO220F

    NXP USA Inc.

    8,113
    PSMN4R6-100XS,127

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70.4A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 153 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 63.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    IPI020N06NAKSA1

    IPI020N06NAKSA1

    MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262

    Infineon Technologies

    3,416
    IPI020N06NAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 2.8V @ 143µA 106 nC @ 10 V ±20V 7800 pF @ 30 V - 3W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    IPD50R380CEBTMA1

    IPD50R380CEBTMA1

    MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3

    Infineon Technologies

    6,740
    IPD50R380CEBTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14.1A (Tc) 13V 380mOhm @ 3.2A, 13V 3.5V @ 260µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 584 pF @ 100 V - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPA50R190CE

    IPA50R190CE

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP

    Infineon Technologies

    5,456
    IPA50R190CE

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18.5A (Tc) 13V 190mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2 nC @ 10 V ±20V 1137 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPW50R190CEFKSA1

    IPW50R190CEFKSA1

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3

    Infineon Technologies

    5,059
    IPW50R190CEFKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 18.5A (Tc) 13V 190mOhm @ 6.2A, 13V 3.5V @ 510µA 47.2 nC @ 10 V ±20V 1137 pF @ 100 V - 127W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    IPD50R800CEBTMA1

    IPD50R800CEBTMA1

    MOSFET N CH 500V 5A TO252

    Infineon Technologies

    6,928
    IPD50R800CEBTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 13V 800mOhm @ 1.5A, 13V 3.5V @ 130µA 12.4 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD50R650CEBTMA1

    IPD50R650CEBTMA1

    MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

    Infineon Technologies

    9,463
    IPD50R650CEBTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6.1A (Tc) 13V 650mOhm @ 1.8A, 13V 3.5V @ 150µA 15 nC @ 10 V ±20V 342 pF @ 100 V - 47W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IRFS7437-7PPBF

    IRFS7437-7PPBF

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,533
    IRFS7437-7PPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7437 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRFR7440PBF

    IRFR7440PBF

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK

    Infineon Technologies

    4,277
    IRFR7440PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 3.9V @ 100µA 134 nC @ 10 V ±20V 4610 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFS7437PBF

    IRFS7437PBF

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,785
    IRFS7437PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7330 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IRFS7440PBF

    IRFS7440PBF

    MOSFET N CH 40V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,095
    IRFS7440PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 6V, 10V 2.5mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 135 nC @ 10 V ±20V 4730 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF7820PBF

    IRF7820PBF

    MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO

    Infineon Technologies

    3,118
    IRF7820PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.7A (Ta) 10V 78mOhm @ 2.2A, 10V 5V @ 100µA 44 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 100 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    FK3503010L

    FK3503010L

    MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3

    Panasonic Electronic Components

    7,309
    FK3503010L

    Техническая документация

    - SC-85 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 3Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 1µA - ±12V 12 pF @ 3 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-F2-B
    FK8V03020L

    FK8V03020L

    MOSFET N CH 33V 14A WMINI8

    Panasonic Electronic Components

    9,191
    FK8V03020L

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 7A, 10V 3V @ 2.2mA 14 nC @ 4.5 V ±10V 1500 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WMini8-F1
    FK8V03060L

    FK8V03060L

    MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8

    Panasonic Electronic Components

    6,027
    FK8V03060L

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 3.3A, 10V 2.5V @ 0.48mA 3.8 nC @ 4.5 V ±20V 360 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WMini8-F1
    FK8V03030L

    FK8V03030L

    MOSFET N CH 33V 12A WMINI8

    Panasonic Electronic Components

    8,563
    FK8V03030L

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1.73mA 10.2 nC @ 4.5 V ±20V 1100 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount WMini8-F1
    FL6L52010L

    FL6L52010L

    MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1

    Panasonic Electronic Components

    6,734
    FL6L52010L

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 1.8 V, 4V 120mOhm @ 1A, 4V 1.1V @ 1mA - ±10V 300 pF @ 10 V - 540mW (Ta) 125°C (TJ) - - Surface Mount WSSMini6-F1
    FDMS8570SDC

    FDMS8570SDC

    MOSFET N-CH 25V 28A/60A DLCOOL56

    onsemi

    5,982
    FDMS8570SDC

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 28A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 28A, 10V 2.2V @ 1mA 42 nC @ 10 V ±12V 2825 pF @ 13 V Schottky Diode (Body) 3.3W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    IRF9383MTR1PBF

    IRF9383MTR1PBF

    MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    7,708
    IRF9383MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 160A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 22A, 10V 2.4V @ 150µA 130 nC @ 10 V ±20V 7305 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 113W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IXTF03N400

    IXTF03N400

    MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC

    IXYS

    2,597
    IXTF03N400

    Техническая документация

    - i4-Pac™-5 (3 Leads) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4000 V 300mA (Tc) 10V 300Ohm @ 150mA, 10V 4V @ 250µA 16.3 nC @ 10 V ±20V 435 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.