БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFB4510GPBF

    IRFB4510GPBF

    MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB

    Infineon Technologies

    3,858
    IRFB4510GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 62A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 37A, 10V 4V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 3180 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF6218STRL

    AUIRF6218STRL

    MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,502
    AUIRF6218STRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRFR4292

    AUIRFR4292

    MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK

    Infineon Technologies

    9,935
    AUIRFR4292

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 9.3A (Tc) 10V 345mOhm @ 5.6A, 10V 5V @ 50µA 20 nC @ 10 V ±20V 705 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    AUIRFZ48N

    AUIRFZ48N

    MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,172
    AUIRFZ48N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 69A (Tc) 10V 14mOhm @ 40A, 10V 4V @ 100µA 63 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF7805QTR

    AUIRF7805QTR

    MOSFET N CH 30V 13A 8-SO

    Infineon Technologies

    8,053
    AUIRF7805QTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRFBA1405

    AUIRFBA1405

    MOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220

    Infineon Technologies

    4,752
    AUIRFBA1405

    Техническая документация

    HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 95A (Tc) 10V 5mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
    AUIRF7805Q

    AUIRF7805Q

    MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

    Infineon Technologies

    5,601
    AUIRF7805Q

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRFU540Z

    AUIRFU540Z

    MOSFET N-CH 100V 35A IPAK

    Infineon Technologies

    3,749
    AUIRFU540Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 4V @ 50µA 59 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRF7484QTR

    AUIRF7484QTR

    MOSFET N CH 40V 14A 8-SO

    Infineon Technologies

    7,942
    AUIRF7484QTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14A (Ta) 7V 10mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100 nC @ 7 V ±8V 3520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRF7484Q

    AUIRF7484Q

    MOSFET N CH 40V 14A 8-SO

    Infineon Technologies

    2,466
    AUIRF7484Q

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14A (Ta) 7V 10mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100 nC @ 7 V ±8V 3520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    AUIRF6215S

    AUIRF6215S

    MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,501
    AUIRF6215S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRF6218S

    AUIRF6218S

    MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,108
    AUIRF6218S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    AUIRLR024Z

    AUIRLR024Z

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK

    Infineon Technologies

    6,039
    AUIRLR024Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 3V @ 250µA 9.9 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLL024Z

    AUIRLL024Z

    MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

    Infineon Technologies

    2,872
    AUIRLL024Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3A, 10V 3V @ 250µA 11 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRLU024Z

    AUIRLU024Z

    MOSFET N-CH 55V 16A IPAK

    Infineon Technologies

    2,245
    AUIRLU024Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V 3V @ 250µA 9.9 nC @ 5 V ±16V 380 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRLL2705

    AUIRLL2705

    MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223

    Infineon Technologies

    8,607
    AUIRLL2705

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5.2A (Ta) 4V, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    AUIRF5210S

    AUIRF5210S

    MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,301
    AUIRF5210S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 60mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 2780 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFB7434GPBF

    IRFB7434GPBF

    MOSFET N CH 40V 195A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,686
    IRFB7434GPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 nC @ 10 V ±20V 10820 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-220-3
    IRFB7446GPBF

    IRFB7446GPBF

    MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,526
    IRFB7446GPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) - - - Through Hole TO-220AB
    AUIRF4905STRL

    AUIRF4905STRL

    MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,575
    AUIRF4905STRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.