БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRFR5505

    AUIRFR5505

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

    Infineon Technologies

    5,505
    AUIRFR5505

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFR5505TRL

    AUIRFR5505TRL

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

    Infineon Technologies

    2,087
    AUIRFR5505TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFR6215

    AUIRFR6215

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

    Infineon Technologies

    7,921
    AUIRFR6215

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRFS4310

    AUIRFS4310

    MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,344
    AUIRFS4310

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFS4610

    AUIRFS4610

    MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,956
    AUIRFS4610

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFSL4310

    AUIRFSL4310

    MOSFET N-CH 100V 75A TO262

    Infineon Technologies

    6,752
    AUIRFSL4310

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) - 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V - 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRFU4104

    AUIRFU4104

    MOSFET N-CH 40V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    6,891
    AUIRFU4104

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    AUIRFZ44VZS

    AUIRFZ44VZS

    MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,200
    AUIRFZ44VZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 10V 12mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFZ44VZSTRL

    AUIRFZ44VZSTRL

    MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,326
    AUIRFZ44VZSTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 57A (Tc) 10V 12mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFZ44Z

    AUIRFZ44Z

    MOSFET N-CH 55V 51A TO220

    Infineon Technologies

    9,029
    AUIRFZ44Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AUIRFZ44ZS

    AUIRFZ44ZS

    MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,170
    AUIRFZ44ZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFZ44ZSTRL

    AUIRFZ44ZSTRL

    MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,764
    AUIRFZ44ZSTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRFZ48Z

    AUIRFZ48Z

    MOSFET N-CH 55V 61A TO220

    Infineon Technologies

    8,310
    AUIRFZ48Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 61A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AUIRFZ48ZS

    AUIRFZ48ZS

    MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,259
    AUIRFZ48ZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 61A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRL1404Z

    AUIRL1404Z

    MOSFET N-CH 40V 160A TO220

    Infineon Technologies

    2,366
    AUIRL1404Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    AUIRL1404ZL

    AUIRL1404ZL

    MOSFET N-CH 40V 160A TO262

    Infineon Technologies

    5,054
    AUIRL1404ZL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    AUIRL1404ZS

    AUIRL1404ZS

    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,171
    AUIRL1404ZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRL3705ZSTRL

    AUIRL3705ZSTRL

    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,694
    AUIRL3705ZSTRL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) - 8mOhm @ 52A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V - 2880 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AUIRLR024N

    AUIRLR024N

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    3,959
    AUIRLR024N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR024NTRL

    AUIRLR024NTRL

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    2,711
    AUIRLR024NTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.