БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRLR2703

    AUIRLR2703

    MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

    Infineon Technologies

    7,678
    AUIRLR2703

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR2703TRL

    AUIRLR2703TRL

    MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

    Infineon Technologies

    4,260
    AUIRLR2703TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) - 45mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V - 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR2905

    AUIRLR2905

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    4,265
    AUIRLR2905

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR2905TRL

    AUIRLR2905TRL

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    6,545
    AUIRLR2905TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4V, 10V 27mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR2905Z

    AUIRLR2905Z

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    9,933
    AUIRLR2905Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V 3V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±16V 1570 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3410

    AUIRLR3410

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    4,029
    AUIRLR3410

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3410TR

    AUIRLR3410TR

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    4,346
    AUIRLR3410TR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    AUIRLR3705Z

    AUIRLR3705Z

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    7,643
    AUIRLR3705Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 3V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±16V 2900 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF9332PBF

    IRF9332PBF

    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO

    Infineon Technologies

    7,180
    IRF9332PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.8A (Ta) 4.5V, 10V 17.5mOhm @ 9.8A, 10V 2.4V @ 25µA 41 nC @ 10 V ±20V 1270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9392PBF

    IRF9392PBF

    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO

    Infineon Technologies

    2,969
    IRF9392PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.8A (Ta) 10V, 20V 12.1mOhm @ 7.8A, 20V 2.4V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±25V 1270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9392TRPBF

    IRF9392TRPBF

    MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO

    Infineon Technologies

    7,307
    IRF9392TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.8A (Ta) 10V, 20V 12.1mOhm @ 7.8A, 20V 2.4V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±25V 1270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFB3607GPBF

    IRFB3607GPBF

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,628
    IRFB3607GPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFH5104TRPBF

    IRFH5104TRPBF

    MOSFET N-CH 40V 24A/100A PQFN

    Infineon Technologies

    8,219
    IRFH5104TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-VQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 100µA 80 nC @ 10 V ±20V 3120 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRFH5204TRPBF

    IRFH5204TRPBF

    MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN

    Infineon Technologies

    2,210
    IRFH5204TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-VQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 100A (Tc) 10V 4.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 100µA 65 nC @ 10 V ±20V 2460 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 105W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRFH5220TRPBF

    IRFH5220TRPBF

    MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN

    Infineon Technologies

    8,395
    IRFH5220TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-VQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 10V 99.9mOhm @ 5.8A, 10V 5V @ 100µA 30 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 50 V - 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    IRL6342PBF

    IRL6342PBF

    MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO

    Infineon Technologies

    9,346
    IRL6342PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.9A (Ta) 2.5V, 4.5V 14.6mOhm @ 9.9A, 4.5V 1.1V @ 10µA 11 nC @ 4.5 V ±12V 1025 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    BUK6217-55C,118

    BUK6217-55C,118

    MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

    Nexperia USA Inc.

    3,543
    BUK6217-55C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 19mOhm @ 12A, 10V 2.8V @ 1mA 33.8 nC @ 10 V ±16V 1950 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    BUK661R8-30C,118

    BUK661R8-30C,118

    MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    3,680
    BUK661R8-30C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 168 nC @ 10 V ±16V 10918 pF @ 25 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    BUK662R5-30C,118

    BUK662R5-30C,118

    MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    5,771
    BUK662R5-30C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±16V 6960 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    BUK663R2-40C,118

    BUK663R2-40C,118

    MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    7,815
    BUK663R2-40C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±16V 8020 pF @ 25 V - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.