БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    DMG8880LK3-13

    DMG8880LK3-13

    MOSFET N-CH 30V 11A TO252

    Diodes Incorporated

    3,720
    DMG8880LK3-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 11.6A, 10V 2.3V @ 250µA 27.6 nC @ 10 V ±20V 1289 pF @ 15 V - 1.68W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    STW16N65M5

    STW16N65M5

    MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

    STMicroelectronics

    8,887
    STW16N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 279mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±25V 1250 pF @ 100 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPA60R450E6XKSA1

    IPA60R450E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-FP

    Infineon Technologies

    7,277
    IPA60R450E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 280µA 28 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPA60R520E6XKSA1

    IPA60R520E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP

    Infineon Technologies

    7,725
    IPA60R520E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 nC @ 10 V ±20V 512 pF @ 100 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPA60R750E6XKSA1

    IPA60R750E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP

    Infineon Technologies

    6,793
    IPA60R750E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPD60R450E6BTMA1

    IPD60R450E6BTMA1

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,792
    IPD60R450E6BTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 280µA 28 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 100 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD60R600E6

    IPD60R600E6

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,582
    IPD60R600E6

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD60R750E6BTMA1

    IPD60R750E6BTMA1

    MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

    Infineon Technologies

    7,535
    IPD60R750E6BTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPP60R450E6XKSA1

    IPP60R450E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220-3

    Infineon Technologies

    2,929
    IPP60R450E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 450mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 280µA 28 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 100 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP60R520E6XKSA1

    IPP60R520E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3

    Infineon Technologies

    6,039
    IPP60R520E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 2.8A, 10V 3.5V @ 230µA 23.4 nC @ 10 V ±20V 512 pF @ 100 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP60R600E6XKSA1

    IPP60R600E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,408
    IPP60R600E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP60R750E6XKSA1

    IPP60R750E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-3

    Infineon Technologies

    4,925
    IPP60R750E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP65R280E6XKSA1

    IPP65R280E6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3

    Infineon Technologies

    4,400
    IPP65R280E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 3.5V @ 440µA 45 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP65R380E6XKSA1

    IPP65R380E6XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,227
    IPP65R380E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPW60R280E6FKSA1

    IPW60R280E6FKSA1

    MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3

    Infineon Technologies

    2,933
    IPW60R280E6FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 3.5V @ 430µA 43 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    IRLR6225PBF

    IRLR6225PBF

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

    Infineon Technologies

    4,987
    IRLR6225PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100A (Tc) 2.5V, 4.5V 4mOhm @ 21A, 4.5V 1.1V @ 50µA 72 nC @ 4.5 V ±12V 3770 pF @ 10 V - 63W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SI1072X-T1-GE3

    SI1072X-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V SC89-6

    Vishay Siliconix

    6,136
    SI1072X-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.3A (Ta) 4.5V, 10V 93mOhm @ 1.3A, 10V 3V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 15 V - 236mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
    IPD60R1K4C6

    IPD60R1K4C6

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,718
    IPD60R1K4C6

    Техническая документация

    CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.2A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.1A, 10V 3.5V @ 90µA 9.4 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 100 V - 28.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD60R2K0C6BTMA1

    IPD60R2K0C6BTMA1

    MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,184
    IPD60R2K0C6BTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 2Ohm @ 760mA, 10V 3.5V @ 60µA 6.7 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 100 V - 22.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    BUK754R0-40C,127

    BUK754R0-40C,127

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

    Nexperia USA Inc.

    5,765
    BUK754R0-40C,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 97 nC @ 10 V ±20V 5708 pF @ 25 V - 203W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.