БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRF6215LPBF

      IRF6215LPBF

      MOSFET P-CH 150V 13A TO262

      Infineon Technologies

      		 6,672
      Запрос на предложение
      		IRF6215LPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      AUXAKF1405ZS-7P

      AUXAKF1405ZS-7P

      MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,822
      Запрос на предложение
      		AUXAKF1405ZS-7P

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 120A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 88A, 10V 4V @ 150µA 230 nC @ 10 V ±20V 5360 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
      IRFSL38N20DPBF

      IRFSL38N20DPBF

      MOSFET N-CH 200V 43A TO262

      Infineon Technologies

      		 6,095
      Запрос на предложение
      		IRFSL38N20DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 43A (Tc) - 54mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 91 nC @ 10 V - 2900 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-262
      IRFR3806PBF

      IRFR3806PBF

      MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

      Infineon Technologies

      		 2,010
      Запрос на предложение
      		IRFR3806PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFSL4310PBF

      IRFSL4310PBF

      MOSFET N-CH 100V 130A TO262

      Infineon Technologies

      		 5,765
      Запрос на предложение
      		IRFSL4310PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 7670 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRFR1018EPBF

      IRFR1018EPBF

      MOSFET N-CH 60V 56A DPAK

      Infineon Technologies

      		 4,795
      Запрос на предложение
      		IRFR1018EPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFS4229PBF

      IRFS4229PBF

      MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,680
      Запрос на предложение
      		IRFS4229PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 45A (Tc) 10V 48mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS3607PBF

      IRFS3607PBF

      MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,016
      Запрос на предложение
      		IRFS3607PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3715STRLPBF

      IRL3715STRLPBF

      MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,039
      Запрос на предложение
      		IRL3715STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF520NSTRLPBF

      IRF520NSTRLPBF

      MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,147
      Запрос на предложение
      		IRF520NSTRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3102STRLPBF

      IRL3102STRLPBF

      MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,621
      Запрос на предложение
      		IRL3102STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 61A (Tc) 4.5V, 7V 13mOhm @ 37A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 58 nC @ 4.5 V ±10V 2500 pF @ 15 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL5602STRLPBF

      IRL5602STRLPBF

      MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,663
      Запрос на предложение
      		IRL5602STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3707STRLPBF

      IRF3707STRLPBF

      MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,454
      Запрос на предложение
      		IRF3707STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF5800TRPBF

      IRF5800TRPBF

      MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6

      Infineon Technologies

      		 4,281
      Запрос на предложение
      		IRF5800TRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 4A, 10V 1V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 535 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
      IRLR4343TRPBF

      IRLR4343TRPBF

      MOSFET N-CH 55V 26A DPAK

      Infineon Technologies

      		 3,041
      Запрос на предложение
      		IRLR4343TRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 50 V - 79W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRF5804TRPBF

      IRF5804TRPBF

      MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6

      Infineon Technologies

      		 8,365
      Запрос на предложение
      		IRF5804TRPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 2.5A (Ta) 4.5V, 10V 198mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
      IRF3709STRLPBF

      IRF3709STRLPBF

      MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,703
      Запрос на предложение
      		IRF3709STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3502STRLPBF

      IRL3502STRLPBF

      MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,418
      Запрос на предложение
      		IRL3502STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3315STRLPBF

      IRF3315STRLPBF

      MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,984
      Запрос на предложение
      		IRF3315STRLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS17N20DTRLP

      IRFS17N20DTRLP

      MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,667
      Запрос на предложение
      		IRFS17N20DTRLP

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      Total 36322 Record«Prev1... 15651566156715681569157015711572...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]