БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF6714MTR1PBF

    IRF6714MTR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    6,590
    IRF6714MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 29A (Ta), 166A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 29A, 10V 2.4V @ 100µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 3890 pF @ 13 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRF6725MTR1PBF

    IRF6725MTR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,491
    IRF6725MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 28A, 10V 2.35V @ 100µA 54 nC @ 4.5 V ±20V 4700 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 100W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRF6715MTR1PBF

    IRF6715MTR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,684
    IRF6715MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 34A (Ta), 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 34A, 10V 2.4V @ 100µA 59 nC @ 4.5 V ±20V 5340 pF @ 13 V - 2.8W (Ta), 78W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRFR3711ZCTRPBF

    IRFR3711ZCTRPBF

    MOSFET N-CH 20V 93A DPAK

    Infineon Technologies

    9,951
    IRFR3711ZCTRPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 93A (Tc) - 5.7mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V - 2160 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF6710S2TR1PBF

    IRF6710S2TR1PBF

    MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,701
    IRF6710S2TR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric S1 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 12A (Ta), 37A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 12A, 10V 2.4V @ 25µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1190 pF @ 13 V - 1.8W (Ta), 15W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
    IRF6722MTR1PBF

    IRF6722MTR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    5,654
    IRF6722MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MP Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 56A (Tc) 4.5V, 10V 7.7mOhm @ 13A, 10V 2.4V @ 50µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1300 pF @ 15 V - 2.3W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MP
    IRF6722STR1PBF

    IRF6722STR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    2,166
    IRF6722STR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 13A, 10V 2.4V @ 50µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1320 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ ST
    IRF6721STR1PBF

    IRF6721STR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    7,867
    IRF6721STR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric SQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 14A, 10V 2.4V @ 25µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1430 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SQ
    IRFS3806PBF

    IRFS3806PBF

    MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,840
    IRFS3806PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF1018ESPBF

    IRF1018ESPBF

    MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,599
    IRF1018ESPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 79A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR3607PBF

    IRFR3607PBF

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK

    Infineon Technologies

    4,475
    IRFR3607PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 56A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V ±20V 3070 pF @ 50 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFB4233PBF

    IRFB4233PBF

    MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,578
    IRFB4233PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 230 V 56A (Tc) 10V 37mOhm @ 28A, 10V 5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±30V 5510 pF @ 25 V - 370W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL1404ZSPBF

    IRL1404ZSPBF

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,464
    IRL1404ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR3114ZPBF

    IRLR3114ZPBF

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    9,589
    IRLR3114ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 2.5V @ 100µA 56 nC @ 4.5 V ±16V 3810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF5305LPBF

    IRF5305LPBF

    MOSFET P-CH 55V 31A TO262

    Infineon Technologies

    5,553
    IRF5305LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRL1404ZLPBF

    IRL1404ZLPBF

    MOSFET N-CH 40V 120A TO262

    Infineon Technologies

    4,998
    IRL1404ZLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V 2.7V @ 250µA 110 nC @ 5 V ±16V 5080 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    64-6006PBF

    64-6006PBF

    MOSFET N-CH 300V 46A TO247AC

    Infineon Technologies

    6,330
    64-6006PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 46A (Tc) 10V 59mOhm @ 33A, 10V 5V @ 250µA 247 nC @ 10 V ±30V 7370 pF @ 25 V - 430W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFS3207PBF

    IRFS3207PBF

    MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,657
    IRFS3207PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 50 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFS4310ZPBF

    IRFS4310ZPBF

    MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,297
    IRFS4310ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF5210LPBF

    IRF5210LPBF

    MOSFET P-CH 100V 38A TO262

    Infineon Technologies

    7,512
    IRF5210LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 38A (Tc) 10V 60mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 2780 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.