БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFU1018EPBF

    IRFU1018EPBF

    MOSFET N-CH 60V 56A IPAK

    Infineon Technologies

    8,948
    IRFU1018EPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 56A (Tc) 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V 4V @ 100µA 69 nC @ 10 V ±20V 2290 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU2307ZPBF

    IRFU2307ZPBF

    MOSFET N-CH 75V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    5,317
    IRFU2307ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 16mOhm @ 32A, 10V 4V @ 100µA 75 nC @ 10 V ±20V 2190 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU2607ZPBF

    IRFU2607ZPBF

    MOSFET N-CH 75V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    5,740
    IRFU2607ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 22mOhm @ 30A, 10V 4V @ 50µA 51 nC @ 10 V ±20V 1440 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU3806PBF

    IRFU3806PBF

    MOSFET N-CH 60V 43A IPAK

    Infineon Technologies

    2,752
    IRFU3806PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRLU3114ZPBF

    IRLU3114ZPBF

    MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK

    Infineon Technologies

    2,538
    IRLU3114ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 42A, 10V 2.5V @ 100µA 56 nC @ 4.5 V ±16V 3810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRLU8721-701PBF

    IRLU8721-701PBF

    MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK

    Infineon Technologies

    2,435
    IRLU8721-701PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-4, DPAK (3 Leads + Tab) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 65A (Tc) 4.5V, 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V 2.35V @ 25µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1030 pF @ 15 V - 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount I-PAK (LF701)
    2SK3064G0L

    2SK3064G0L

    MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-F2

    Panasonic Electronic Components

    2,562
    2SK3064G0L

    Техническая документация

    - SC-85 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) 5V 50Ohm @ 10mA, 5V 2V @ 1µA - ±20V - - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-F2
    2SK3539G0L

    2SK3539G0L

    MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-F2

    Panasonic Electronic Components

    3,506
    2SK3539G0L

    Техническая документация

    - SC-85 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 12Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 1µA - ±7V 12 pF @ 3 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-F2
    2SK3546G0L

    2SK3546G0L

    MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-F2

    Panasonic Electronic Components

    7,845
    2SK3546G0L

    Техническая документация

    - SC-89, SOT-490 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 12Ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 1µA - ±7V 12 pF @ 3 V - 125mW (Ta) 125°C (TJ) - - Surface Mount SSMini3-F3
    APT40N60JCU3

    APT40N60JCU3

    MOSFET N-CH 600V 40A SOT227

    Microchip Technology

    2,706
    APT40N60JCU3

    Техническая документация

    - SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 20A, 10V 3.9V @ 1mA 259 nC @ 10 V ±20V 7015 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
    FDD8444-F085

    FDD8444-F085

    MOSFET N-CH 40V 145A TO252AA

    onsemi

    3,995
    FDD8444-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 145A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 6195 pF @ 25 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    FDN361BN

    FDN361BN

    MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3

    onsemi

    9,860
    FDN361BN

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.4A (Ta) 4.5V, 10V 110mOhm @ 1.4A, 10V 3V @ 250µA 1.8 nC @ 4.5 V ±20V 193 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FDP20N50

    FDP20N50

    MOSFET N-CH 500V 20A TO220-3

    onsemi

    3,314
    FDP20N50

    Техническая документация

    UniFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 230mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 59.5 nC @ 10 V ±30V 3120 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FDS5682

    FDS5682

    MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC

    onsemi

    8,989
    FDS5682

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.5A (Ta) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.5A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDS5692Z

    FDS5692Z

    MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC

    onsemi

    9,004
    FDS5692Z

    Техническая документация

    UltraFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 5.8A, 10V 3V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1025 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    64-2096PBF

    64-2096PBF

    MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,053
    64-2096PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 160A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7580 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRF7416QTRPBF

    IRF7416QTRPBF

    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

    Infineon Technologies

    3,256
    IRF7416QTRPBF

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) - 20mOhm @ 5.6A, 10V 1V @ 250µA 92 nC @ 10 V - 1700 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount 8-SO
    IRF2903ZSTRLP

    IRF2903ZSTRLP

    MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,121
    IRF2903ZSTRLP

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 240 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF1324STRL-7PP

    IRF1324STRL-7PP

    MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,836
    IRF1324STRL-7PP

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 nC @ 10 V ±20V 7700 pF @ 19 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRF6726MTR1PBF

    IRF6726MTR1PBF

    MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,820
    IRF6726MTR1PBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MT Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 32A, 10V 2.35V @ 150µA 77 nC @ 4.5 V ±20V 6140 pF @ 15 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MT
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.