БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SI8489EDB-T2-E1

    SI8489EDB-T2-E1

    MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT

    Vishay Siliconix

    4,087
    SI8489EDB-T2-E1

    Техническая документация

    TrenchFET® 4-UFBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.06A (Ta) 2.5V, 10V 44mOhm @ 1.5A, 10V 1.2V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±12V 765 pF @ 10 V - 780mW (Ta), 1.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-Microfoot
    RF4E080GNTR

    RF4E080GNTR

    MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    3,362
    RF4E080GNTR

    Техническая документация

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8A (Ta) 4.5V, 10V 17.6mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 5.8 nC @ 10 V ±20V 295 pF @ 15 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    SSM6K406TU,LF

    SSM6K406TU,LF

    MOSFET N-CH 30V 4.4A UF6

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,856
    SSM6K406TU,LF

    Техническая документация

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.4A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 12.4 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 15 V - 500mW (Ta) 150°C - - Surface Mount UF6
    SIR172ADP-T1-GE3

    SIR172ADP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,157
    SIR172ADP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1515 pF @ 15 V - 29.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SI3433CDV-T1-BE3

    SI3433CDV-T1-BE3

    P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    5,395
    SI3433CDV-T1-BE3

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.2A (Ta), 6A (Tc) 1.8V, 4.5V 38mOhm @ 5.2A, 4.5V 1V @ 250µA 45 nC @ 8 V ±8V 1300 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    PJQ4408P_R2_00001

    PJQ4408P_R2_00001

    30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    4,869
    PJQ4408P_R2_00001

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 nC @ 4.5 V ±20V 763 pF @ 25 V - 2W (Ta), 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN3333-8
    SI1480DH-T1-BE3

    SI1480DH-T1-BE3

    MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70

    Vishay Siliconix

    2,962
    SI1480DH-T1-BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.1A (Ta), 2.6A (Tc) - 200mOhm @ 1.9A, 10V 3V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 130 pF @ 50 V - 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70-6
    SI3433CDV-T1-E3

    SI3433CDV-T1-E3

    MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

    Vishay Siliconix

    1,280
    SI3433CDV-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Tc) 1.8V, 4.5V 38mOhm @ 5.2A, 4.5V 1V @ 250µA 45 nC @ 8 V ±8V 1300 pF @ 10 V - 3.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    DMN3033LSNQ-7

    DMN3033LSNQ-7

    MOSFET N-CH 30V 6A SC59

    Diodes Incorporated

    2,660
    DMN3033LSNQ-7

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) 4.5V, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 10.5 nC @ 5 V ±20V 755 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-59-3
    DMP3050LSS-13

    DMP3050LSS-13

    MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO

    Diodes Incorporated

    1,849
    DMP3050LSS-13

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.8A (Ta) 4.5V, 10V 45mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 10.5 nC @ 10 V ±25V 620 pF @ 15 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    SQ3456CEV-T1_GE3

    SQ3456CEV-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    2,250
    SQ3456CEV-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.8A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 15 V - 4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP
    DMP3037LSSQ-13

    DMP3037LSSQ-13

    MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

    Diodes Incorporated

    2,160
    DMP3037LSSQ-13

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 6A, 10V 2.4V @ 250µA 17.3 nC @ 10 V ±20V 969 pF @ 15 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SO
    PSMN020-30MLCX

    PSMN020-30MLCX

    MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    1,074
    PSMN020-30MLCX

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31.8A (Tc) 4.5V, 10V 18.1mOhm @ 5A, 10V 1.95V @ 1mA 9.5 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 15 V - 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK33
    DMS3014SFG-7

    DMS3014SFG-7

    MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

    Diodes Incorporated

    15,874
    DMS3014SFG-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 13mOhm @ 10.4A, 10V 2.2V @ 250µA 45.7 nC @ 10 V ±12V 4310 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
    NTLJF4156NTAG

    NTLJF4156NTAG

    MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN

    onsemi

    2,935
    NTLJF4156NTAG

    Техническая документация

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.5A (Tj) 1.5V, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 250µA 6.5 nC @ 4.5 V ±8V 427 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 710mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    SIA811ADJ-T1-GE3

    SIA811ADJ-T1-GE3

    MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

    Vishay Siliconix

    2,751
    SIA811ADJ-T1-GE3

    Техническая документация

    LITTLE FOOT® PowerPAK® SC-70-6 Dual Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 116mOhm @ 2.8A, 4.5V 1V @ 250µA 13 nC @ 8 V ±8V 345 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
    RF4E110GNTR

    RF4E110GNTR

    MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    6,452
    RF4E110GNTR

    Техническая документация

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 11.3mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V ±20V 504 pF @ 15 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    PJQ4408P-AU_R2_000A1

    PJQ4408P-AU_R2_000A1

    30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    4,800
    PJQ4408P-AU_R2_000A1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 nC @ 4.5 V ±20V 763 pF @ 25 V - 2W (Ta), 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN3333-8
    CMS25N03V8A-HF

    CMS25N03V8A-HF

    MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN

    Comchip Technology

    2,938
    CMS25N03V8A-HF

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±20V 500 pF @ 25 V - 21W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (3x3)
    SIRA28BDP-T1-GE3

    SIRA28BDP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8

    Vishay Siliconix

    6,427
    SIRA28BDP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 38A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 10A, 10V 2.4V @ 250µA 14 nC @ 10 V +20V, -16V 582 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 17W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    Total 36322 Record«Prev1... 119120121122123124125126...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.