БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SI8425DB-T1-E1

    SI8425DB-T1-E1

    MOSFET P-CH 20V 4WLCSP

    Vishay Siliconix

    2,882
    SI8425DB-T1-E1

    Техническая документация

    TrenchFET® 4-UFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.9A (Ta) 1.8V, 4.5V 23mOhm @ 2A, 4.5V 900mV @ 250µA 110 nC @ 10 V ±10V 2800 pF @ 10 V - 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-WLCSP (1.6x1.6)
    RS1E150GNTB

    RS1E150GNTB

    MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,225
    RS1E150GNTB

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 590 pF @ 15 V - 3W (Ta), 22W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    BUK7M67-60EX

    BUK7M67-60EX

    MOSFET N-CH 60V 14A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    1,078
    BUK7M67-60EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 10V 67mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 6.7 nC @ 10 V ±20V 334 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
    PSMN6R1-25MLDX

    PSMN6R1-25MLDX

    MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    1,443
    PSMN6R1-25MLDX

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 7.24mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 1mA 10.7 nC @ 10 V ±20V 702 pF @ 12 V Schottky Diode (Body) 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK33
    MCAC50N03-TP

    MCAC50N03-TP

    MOSFET N-CH 30 50A DFN5060

    Micro Commercial Co

    4,176
    MCAC50N03-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 1490 pF @ 15 V - 38W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    IRFH8325TRPBF

    IRFH8325TRPBF

    MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN

    Infineon Technologies

    3,667
    IRFH8325TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta), 82A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V 2487 pF @ 10 V - 3.6W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
    NTMFS4C910NAT3G

    NTMFS4C910NAT3G

    TRENCH 6 30V NCH

    onsemi

    15,000
    NTMFS4C910NAT3G

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    QS6U24TR

    QS6U24TR

    MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    11,246
    QS6U24TR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1A (Ta) 4V, 10V 400mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 1mA 1.7 nC @ 5 V ±20V 90 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    NTMFS4C910NBT1G

    NTMFS4C910NBT1G

    TRENCH 6 30V NCH

    onsemi

    10,500
    NTMFS4C910NBT1G

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PSMN9R1-30YL,115

    PSMN9R1-30YL,115

    MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,484
    PSMN9R1-30YL,115

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 57A (Tc) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 894 pF @ 15 V - 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    DN2535N3-G-P003

    DN2535N3-G-P003

    MOSFET N-CH 350V 120MA TO92

    Microchip Technology

    1,981
    DN2535N3-G-P003

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 350 V 120mA (Tj) 0V 25Ohm @ 120mA, 0V - - ±20V 300 pF @ 25 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92 (TO-226)
    RQ6E045SNTR

    RQ6E045SNTR

    MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    2,997
    RQ6E045SNTR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Ta) 4V, 10V 38mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 10 V - 950mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    RF4E060AJTCR

    RF4E060AJTCR

    MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    2,249
    RF4E060AJTCR

    Техническая документация

    - 8-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6A (Ta) 2.5V, 4.5V 37mOhm @ 6A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4 nC @ 4.5 V ±12V 450 pF @ 15 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    SIS782DN-T1-GE3

    SIS782DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    8,239
    SIS782DN-T1-GE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 30.5 nC @ 10 V ±20V 1025 pF @ 15 V Schottky Diode (Body) 41W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    IPN60R1K5PFD7SATMA1

    IPN60R1K5PFD7SATMA1

    MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223

    Infineon Technologies

    2,460
    IPN60R1K5PFD7SATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™PFD7 TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 700mA, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 nC @ 10 V ±20V 169 pF @ 400 V - 6W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-3
    PSMN4R4-30MLC,115

    PSMN4R4-30MLC,115

    MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    1,495
    PSMN4R4-30MLC,115

    Техническая документация

    - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 4.65mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 1515 pF @ 15 V - 69W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK33
    NTLJS2103PTBG

    NTLJS2103PTBG

    MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN

    onsemi

    1,190
    NTLJS2103PTBG

    Техническая документация

    µCool™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3.5A (Ta) 1.2V, 4.5V 40mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±8V 1157 pF @ 6 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    MCM13N03-TP

    MCM13N03-TP

    N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6LE

    Micro Commercial Co

    3,099
    MCM13N03-TP

    Техническая документация

    - 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A 4.5V, 10V 12mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 23.6 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 15 V - 2.9W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN2020-6LE
    RQ6E055BNTCR

    RQ6E055BNTCR

    MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    2,950
    RQ6E055BNTCR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.5A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.6 nC @ 10 V ±20V 355 pF @ 15 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    DMN10H099SFG-7

    DMN10H099SFG-7

    MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

    Diodes Incorporated

    1,621
    DMN10H099SFG-7

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.2A (Ta) 6V, 10V 80mOhm @ 3.3A, 10V 3V @ 250µA 25.2 nC @ 10 V ±20V 1172 pF @ 50 V - 980mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
    Total 36322 Record«Prev1... 122123124125126127128129...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.