БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IXFY26N30X3

      IXFY26N30X3

      MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA

      Littelfuse Inc.

      		 6,814
      Запрос на предложение
      		IXFY26N30X3

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 26A (Tc) 10V 66mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 500µA 22 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
      XK1R9F10QB,LXGQ

      XK1R9F10QB,LXGQ

      MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,329
      Запрос на предложение
      		XK1R9F10QB,LXGQ

      Техническая документация

             		U-MOSX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.92mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 1mA 184 nC @ 10 V ±20V 11500 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
      IXFP26N30X3

      IXFP26N30X3

      MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB

      Littelfuse Inc.

      		 461
      Запрос на предложение
      		IXFP26N30X3

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 26A (Tc) 10V 66mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 500µA 22 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      IPB016N06L3GATMA1

      IPB016N06L3GATMA1

      MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

      Infineon Technologies

      		 9,298
      Запрос на предложение
      		IPB016N06L3GATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 196µA 166 nC @ 4.5 V ±20V 28000 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
      SPB21N50C3ATMA1

      SPB21N50C3ATMA1

      MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 2,683
      Запрос на предложение
      		SPB21N50C3ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      IPB65R150CFDATMA2

      IPB65R150CFDATMA2

      MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 1,327
      Запрос на предложение
      		IPB65R150CFDATMA2

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
      STP31N65M5

      STP31N65M5

      MOSFET N-CH 650V 22A TO220

      STMicroelectronics

      		 801
      Запрос на предложение
      		STP31N65M5

      Техническая документация

             		MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 148mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 816 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      SIHA105N60EF-GE3

      SIHA105N60EF-GE3

      MOSFET N-CH 600V 12A TO220

      Vishay Siliconix

      		 1,033
      Запрос на предложение
      		SIHA105N60EF-GE3

      Техническая документация

             		EF TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 102mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1804 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
      PSMN3R8-100BS,118

      PSMN3R8-100BS,118

      MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

      Nexperia USA Inc.

      		 16,235
      Запрос на предложение
      		PSMN3R8-100BS,118

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 170 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 50 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      BUK964R2-80E,118

      BUK964R2-80E,118

      MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

      Nexperia USA Inc.

      		 5,004
      Запрос на предложение
      		BUK964R2-80E,118

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 5V 4mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 123 nC @ 5 V ±10V 17130 pF @ 25 V - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
      SUM90N03-2M2P-E3

      SUM90N03-2M2P-E3

      MOSFET N-CH 30V 90A TO263

      Vishay Siliconix

      		 933
      Запрос на предложение
      		SUM90N03-2M2P-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 32A, 10V 2.5V @ 250µA 257 nC @ 10 V ±20V 12065 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IPF017N08NF2SATMA1

      IPF017N08NF2SATMA1

      TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7

      Infineon Technologies

      		 1,455
      Запрос на предложение
      		IPF017N08NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 259A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 194µA 186 nC @ 10 V ±20V 8700 pF @ 40 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-14
      STP28N60DM2

      STP28N60DM2

      MOSFET N-CH 600V 21A TO220

      STMicroelectronics

      		 1,210
      Запрос на предложение
      		STP28N60DM2

      Техническая документация

             		MDmesh™ DM2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      FDPF20N50T

      FDPF20N50T

      MOSFET N-CH 500V 20A TO220F

      onsemi

      		 990
      Запрос на предложение
      		FDPF20N50T

      Техническая документация

             		UniFET™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 230mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 59.5 nC @ 10 V ±30V 3120 pF @ 25 V - 38.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
      FCP190N60E

      FCP190N60E

      MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3

      onsemi

      		 1,468
      Запрос на предложение
      		FCP190N60E

      Техническая документация

             		SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.6A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 3175 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      IPB013N06NF2SATMA1

      IPB013N06NF2SATMA1

      TRENCH 40<-<100V

      Infineon Technologies

      		 898
      Запрос на предложение
      		IPB013N06NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta), 198A (Tc) 6V, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 246µA 305 nC @ 10 V ±20V 13800 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
      AOB66916L

      AOB66916L

      MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,697
      Запрос на предложение
      		AOB66916L

      Техническая документация

             		AlphaSGT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35.5A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 6180 pF @ 50 V - 8.3W (Ta), 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      FDB150N10

      FDB150N10

      MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

      onsemi

      		 441
      Запрос на предложение
      		FDB150N10

      Техническая документация

             		PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 15mOhm @ 49A, 10V 4.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 4760 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IPW60R190E6FKSA1

      IPW60R190E6FKSA1

      MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

      Infineon Technologies

      		 139
      Запрос на предложение
      		IPW60R190E6FKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 3.5V @ 630µA 63 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
      IPL60R105P7AUMA1

      IPL60R105P7AUMA1

      MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON

      Infineon Technologies

      		 10,206
      Запрос на предложение
      		IPL60R105P7AUMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V 105mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 530µA 45 nC @ 10 V ±20V 1952 pF @ 400 V - 137W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
      Total 36322 Record«Prev1... 8687888990919293...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]