БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AM4417P-CT

    AM4417P-CT

    MOSFET P-CH -60V 11.1A SOIC-8

    Analog Power Inc.

    1,557
    AM4417P-CT

    Техническая документация

    - SOIC-8 Strip Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11.1A (Ta) 4.5V, 10V 23mOhm @ 7.2A, 4.5V 1V @ 250µA 90 nC @ 4.5 V ±20V 9258 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOIC-8
    BSP318SL6327HTSA1

    BSP318SL6327HTSA1

    MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

    Infineon Technologies

    3,348
    BSP318SL6327HTSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 2V @ 20µA 20 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
    2SK3615-TL-E

    2SK3615-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    135,800
    2SK3615-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AUIRLZ24NSTRL

    AUIRLZ24NSTRL

    AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET

    International Rectifier

    82,400
    AUIRLZ24NSTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 4V, 10V 60mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    FQPF9N50CF

    FQPF9N50CF

    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

    Fairchild Semiconductor

    44,000
    FQPF9N50CF

    Техническая документация

    FRFET® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 44W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IRFU7440PBF

    IRFU7440PBF

    MOSFET N-CH 40V 90A IPAK

    Infineon Technologies

    4,762
    IRFU7440PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 3.9V @ 100µA 134 nC @ 10 V ±20V 4610 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFB23N15DPBF

    IRFB23N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,766
    IRFB23N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 23A (Tc) 10V 90mOhm @ 14A, 10V 5.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NVMFS5C460NLT1G

    NVMFS5C460NLT1G

    MOSFET N-CH 40V 5DFN

    onsemi

    2,545
    NVMFS5C460NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 78A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 35A, 10V 2V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    UPA2811T1L-E1-AY

    UPA2811T1L-E1-AY

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    18,000
    UPA2811T1L-E1-AY

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTTFS4941NTAG

    NTTFS4941NTAG

    MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN

    onsemi

    7,429
    NTTFS4941NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta), 46A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 22.8 nC @ 10 V ±20V 1619 pF @ 15 V - 840mW (Ta), 25.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    BUK6218-40C,118

    BUK6218-40C,118

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

    Nexperia USA Inc.

    3,510
    BUK6218-40C,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 10V 16mOhm @ 10A, 10V 2.8V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±16V 1170 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    NDS356AP

    NDS356AP

    MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3

    onsemi

    9,265
    NDS356AP

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    MCH6342-TL-W

    MCH6342-TL-W

    MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6

    onsemi

    9,794
    MCH6342-TL-W

    Техническая документация

    - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 73mOhm @ 2A, 4.5V 1.3V @ 1mA 8.6 nC @ 4.5 V ±10V 650 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88FL/MCPH6
    FDP4030L

    FDP4030L

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    6,570
    FDP4030L

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 10V 55mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 365 pF @ 15 V - 37.5W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SI3476DV-T1-BE3

    SI3476DV-T1-BE3

    N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    5,920
    SI3476DV-T1-BE3

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 3.5A (Ta), 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 93mOhm @ 3.5A, 10V 3V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±20V 195 pF @ 40 V - 2W (Ta), 3.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-TSOP
    GSFP0641

    GSFP0641

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -

    Good-Ark Semiconductor

    5,900
    GSFP0641

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 24mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 3893 pF @ 30 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (5.1x5.71)
    G06N10

    G06N10

    N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

    Goford Semiconductor

    4,602
    G06N10

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6A (Tc) 4.5V, 10V 240mOhm @ 6A, 10V 3V @ 250µA 6.2 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 50 V - 25W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    ISL9N7030BLS3ST

    ISL9N7030BLS3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    3,200
    ISL9N7030BLS3ST

    Техническая документация

    UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 75A, 10V 3V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 15 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    IRF7476TR

    IRF7476TR

    MOSFET N-CH 12V 15A 8SOIC

    UMW

    3,000
    IRF7476TR

    Техническая документация

    * 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 15A (Ta) 2.8V, 4.5V 8mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA - ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF9317TR

    IRF9317TR

    MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC

    UMW

    3,000
    IRF9317TR

    Техническая документация

    * 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 6.6mOhm @ 16A, 10V 2.4V @ 50µA - ±20V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    Total 36322 Record«Prev1... 466467468469470471472473...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.