БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTD6N40

    NTD6N40

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    onsemi

    7,699
    NTD6N40

    Техническая документация

    * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPP50R520CPXKSA1

    IPP50R520CPXKSA1

    MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,901
    IPP50R520CPXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.1A (Tc) 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 100 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    STP3N50E

    STP3N50E

    NFET T0220 SPCL 500V

    onsemi

    7,200
    STP3N50E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    DMP2033UCB9-7

    DMP2033UCB9-7

    MOSFET P-CH 20V 4.2A U-WLB1515-9

    Diodes Incorporated

    5,716
    DMP2033UCB9-7

    Техническая документация

    - 9-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 33mOhm @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V -6V 500 pF @ 10 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1515-9
    UPA1728G(0)-E1-AY

    UPA1728G(0)-E1-AY

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    5,000
    UPA1728G(0)-E1-AY

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPI70N04S406AKSA1

    IPI70N04S406AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3

    Infineon Technologies

    5,539
    IPI70N04S406AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 70A, 10V 4V @ 26µA 32 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    2SJ664-E

    2SJ664-E

    MOSFET P-CH

    onsemi

    4,000
    2SJ664-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    HUFA75329D3

    HUFA75329D3

    MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    3,600
    HUFA75329D3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 26mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQI16N25CTU

    FQI16N25CTU

    MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    3,589
    FQI16N25CTU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 15.6A (Tc) 10V 270mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 53.5 nC @ 10 V ±30V 1080 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    BUZ31HXKSA1

    BUZ31HXKSA1

    MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,993
    BUZ31HXKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 14.5A (Tc) 5V 200mOhm @ 9A, 5V 4V @ 1mA - ±20V 1120 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FDZ7296

    FDZ7296

    MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA

    Fairchild Semiconductor

    3,302
    FDZ7296

    Техническая документация

    PowerTrench® 18-WFBGA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1520 pF @ 15 V - 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
    HUF76423S3ST

    HUF76423S3ST

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    3,200
    HUF76423S3ST

    Техническая документация

    UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 35A, 10V 3V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±16V 1060 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    NTD5N50-001

    NTD5N50-001

    NFET DPAK 500V 1.8R

    onsemi

    3,150
    NTD5N50-001

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTLTS3107PR2G

    NTLTS3107PR2G

    MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8

    onsemi

    3,000
    NTLTS3107PR2G

    Техническая документация

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    UPA1807GR-9JG-E1-A

    UPA1807GR-9JG-E1-A

    MOSFET N-CH 30V 12A 8TSSOP

    Renesas Electronics Corporation

    3,000
    UPA1807GR-9JG-E1-A

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) - 10mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 19 nC @ 10 V - 1000 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 8-TSSOP
    RJK03K1DPA-00#J5A

    RJK03K1DPA-00#J5A

    N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    3,000
    RJK03K1DPA-00#J5A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK964R2-55B/C

    BUK964R2-55B/C

    N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL

    NXP USA Inc.

    2,824
    BUK964R2-55B/C

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQPF44N08T

    FQPF44N08T

    MOSFET N-CH 80V 25A TO-220F

    Fairchild Semiconductor

    2,667
    FQPF44N08T

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Tc) 10V 34mOhm @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1430 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    IRFR024

    IRFR024

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

    EVVO

    2,453
    IRFR024

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.6A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 12.6 nC @ 4.5 V ±20V 1378 pF @ 15 V - 2W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-2L
    BUK663R5-55C,118

    BUK663R5-55C,118

    MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

    NXP USA Inc.

    1,573
    BUK663R5-55C,118

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 465466467468469470471472...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.