БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SUD23N06-31

    SUD23N06-31

    MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

    UMW

    2,500
    SUD23N06-31

    Техническая документация

    * TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA - ±20V - - 3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    4N60L

    4N60L

    MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

    UMW

    2,500
    4N60L

    Техническая документация

    * TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 2.4Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA - ±30V - - 104W 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FDD24AN06LA0

    FDD24AN06LA0

    MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A DPAK

    UMW

    2,500
    FDD24AN06LA0

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLL014NTR

    IRLL014NTR

    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

    UMW

    2,500
    IRLL014NTR

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDD6680AS

    FDD6680AS

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

    UMW

    2,500
    FDD6680AS

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NDT456P

    NDT456P

    MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT223

    UMW

    2,500
    NDT456P

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRLR120NTR

    IRLR120NTR

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

    UMW

    2,500
    IRLR120NTR

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD24N06LT4G

    NTD24N06LT4G

    MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

    UMW

    2,500
    NTD24N06LT4G

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD25P03LG

    NTD25P03LG

    MOSFET P-CH 30V 25A DPAK

    UMW

    2,500
    NTD25P03LG

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4860NT4G

    NTD4860NT4G

    MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK

    UMW

    2,500
    NTD4860NT4G

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G3K8N15KE

    G3K8N15KE

    MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252

    Goford Semiconductor

    2,450
    G3K8N15KE

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 6A (Tc) 4.5V, 10V 370mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 549 pF @ 75 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    RFP2N15

    RFP2N15

    N-CHANNEL, MOSFET

    Harris Corporation

    2,411
    RFP2N15

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA - ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RFP50N06R4034

    RFP50N06R4034

    50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL

    Harris Corporation

    2,400
    RFP50N06R4034

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BUK9510-55A,127

    BUK9510-55A,127

    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

    NXP USA Inc.

    6,471
    BUK9510-55A,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA 68 nC @ 5 V ±15V 4307 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPI70N10S3L12AKSA1

    IPI70N10S3L12AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

    Infineon Technologies

    3,088
    IPI70N10S3L12AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 70A, 10V 2.4V @ 83µA 80 nC @ 10 V ±20V 5550 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    HUF75329D3

    HUF75329D3

    MOSFET N-CH 55V 20A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    1,792
    HUF75329D3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 26mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 20 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FQI6N50TU

    FQI6N50TU

    MOSFET N-CH 500V 5.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,650
    FQI6N50TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5.5A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.8A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 790 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    IPS80R750P7AKMA1

    IPS80R750P7AKMA1

    MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3

    Infineon Technologies

    2,028
    IPS80R750P7AKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 500 V - 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    FQB3N60CTM

    FQB3N60CTM

    MOSFET N-CH 600V 3A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,376
    FQB3N60CTM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 565 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SPI21N10

    SPI21N10

    MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3

    Infineon Technologies

    6,875
    SPI21N10

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21A (Tc) 10V 80mOhm @ 15A, 10V 4V @ 44µA 38.4 nC @ 10 V ±20V 865 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    Total 36322 Record«Prev1... 457458459460461462463464...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.