БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRFR4105

    AUIRFR4105

    AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

    International Rectifier

    5,362
    AUIRFR4105

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDMB506P

    FDMB506P

    MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

    Fairchild Semiconductor

    5,237
    FDMB506P

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 30mOhm @ 6.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V 2960 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
    IPD60R600CP

    IPD60R600CP

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    4,945
    IPD60R600CP

    Техническая документация

    CoolMOS™ CP TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.1A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.3A, 10V 3.5V @ 220µA 27 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
    BUK763R4-30,118

    BUK763R4-30,118

    MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    6,476
    BUK763R4-30,118

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V 4951 pF @ 25 V - 255W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 - -
    SFP9540

    SFP9540

    MOSFET P-CH 100V 17A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    4,583
    SFP9540

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 200mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 1535 pF @ 25 V - 132W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    BUK9237-55A,118

    BUK9237-55A,118

    MOSFET N-CH 55V 32A DPAK

    Nexperia USA Inc.

    3,437
    BUK9237-55A,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 32A (Tc) 5V, 10V 33mOhm @ 15A, 10V 2V @ 1mA 17.6 nC @ 5 V ±15V 1236 pF @ 25 V - 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    2N7002E-T1-GE3

    2N7002E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 240MA TO236

    Vishay Siliconix

    4,324
    2N7002E-T1-GE3

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240mA (Ta) 10V 3Ohm @ 250mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 21 pF @ 5 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236
    GSFD9R706

    GSFD9R706

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60

    Good-Ark Semiconductor

    4,175
    GSFD9R706

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 9.7mOhm @ 13A, 10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 400 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    GT095N04D3

    GT095N04D3

    MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L

    Goford Semiconductor

    4,049
    GT095N04D3

    Техническая документация

    SGT 8-PowerVDFN Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 47A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 947 pF @ 20 V - 22.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
    G33N03S

    G33N03S

    N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

    Goford Semiconductor

    3,930
    G33N03S

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 8A, 10V 1.1V @ 250µA 13 nC @ 15 V ±20V 1550 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    G10N03S

    G10N03S

    N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M

    Goford Semiconductor

    3,500
    G10N03S

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 832 pF @ 15 V - 2.23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    G7P03S

    G7P03S

    P30V,RD(MAX)<22M@-10V,RD(MAX)<33

    Goford Semiconductor

    3,454
    G7P03S

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 3A, 10V 2V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±20V 1253 pF @ 15 V - 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FQB9N25CTM

    FQB9N25CTM

    MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    3,222
    FQB9N25CTM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8.8A (Tc) 10V 430mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 710 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDS3612

    FDS3612

    MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    3,042
    FDS3612

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.4A (Ta) 6V, 10V 120mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 632 pF @ 50 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NDS331N-EV

    NDS331N-EV

    MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23

    EVVO

    3,000
    NDS331N-EV

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 2.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±12V 260 pF @ 10 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IRF7403TR

    IRF7403TR

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

    UMW

    3,000
    IRF7403TR

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    G2012

    G2012

    N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18

    Goford Semiconductor

    2,944
    G2012

    Техническая документация

    TrenchFET® 6-WDFN Exposed Pad Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Tc) 2.5V, 4.5V 12mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±10V 1255 pF @ 10 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (2x2)
    FDC642P-F085

    FDC642P-F085

    MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

    onsemi

    3,756
    FDC642P-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±8V 640 pF @ 10 V - 1.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SuperSOT™-6
    FDU068AN03L

    FDU068AN03L

    MOSFET N-CH 30V 17A/35A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    2,514
    FDU068AN03L

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta), 35A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2525 pF @ 15 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    PJW7N06A-AU_R2_000A1

    PJW7N06A-AU_R2_000A1

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,500
    PJW7N06A-AU_R2_000A1

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.6A (Ta) 4.5V, 10V 34mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1173 pF @ 25 V - 3.7W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-223
    Total 36322 Record«Prev1... 456457458459460461462463...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.