БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RJK03M9DNS-WS#J5

    RJK03M9DNS-WS#J5

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    3,572
    RJK03M9DNS-WS#J5

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FQB3P20TM

    FQB3P20TM

    MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    3,077
    FQB3P20TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.8A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    ISL9N310AD3

    ISL9N310AD3

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    3,028
    ISL9N310AD3

    Техническая документация

    UltraFET® TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 10Ohm @ 35A, 10A 3V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 15 V - 70W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    FQI5P10TU

    FQI5P10TU

    MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    3,000
    FQI5P10TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    NTR4171PT1G

    NTR4171PT1G

    MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23

    UMW

    3,000
    NTR4171PT1G

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AO3403A

    AO3403A

    SOT-23-3 POWER MOSFETS ROHS

    UMW

    2,976
    AO3403A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 2.6A, 10V 1.4V @ 250µA 7.2 nC @ 10 V ±12V 315 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AO3416A

    AO3416A

    20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1

    UMW

    2,802
    AO3416A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6A (Ta) 1.8V, 4.5V 25mOhm @ 6.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V 1650 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    AO3414A

    AO3414A

    20V 4.2A 400MW [email protected],3.6A 1.

    UMW

    2,317
    AO3414A

    Техническая документация

    UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 4.2A, 4.5V 1V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V ±8V 436 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    2SK1482-T-AZ

    2SK1482-T-AZ

    SMALL SIGNAL FET

    NEC Corporation

    2,162
    2SK1482-T-AZ

    Техническая документация

    - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.5A (Ta) 4V, 10V 400mOhm @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA - ±20V 230 pF @ 10 V - 750W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-92
    FQI17N08LTU

    FQI17N08LTU

    MOSFET N-CH 80V 16.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    2,000
    FQI17N08LTU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.5A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 8.25A, 10V 2V @ 250µA 11.5 nC @ 5 V ±20V 520 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    FQD5N30TM

    FQD5N30TM

    MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    1,623
    FQD5N30TM

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 4.4A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 430 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    FQB20N06TM

    FQB20N06TM

    MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,550
    FQB20N06TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 10V 60mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 53W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPSA70R600CEAKMA1

    IPSA70R600CEAKMA1

    MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3

    Infineon Technologies

    4,450
    IPSA70R600CEAKMA1

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 10.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 1A, 10V 3.5V @ 210µA 22 nC @ 10 V ±20V 474 pF @ 100 V - 86W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    FQB3N40TM

    FQB3N40TM

    MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,490
    FQB3N40TM

    Техническая документация

    QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2.5A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1.25A, 10V 5V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V ±30V 230 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FQPF2P25

    FQPF2P25

    MOSFET P-CH 250V 1.8A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    1,391
    FQPF2P25

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.8A (Tc) 10V 4Ohm @ 900mA, 10V 5V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    FQP3N50C

    FQP3N50C

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    1,362
    FQP3N50C

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 3A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 365 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FQI10N20CTU

    FQI10N20CTU

    MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    1,055
    FQI10N20CTU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.5A (Tc) 10V 360mOhm @ 4.75A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    NTMFS4935NT1G

    NTMFS4935NT1G

    MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

    onsemi

    2,260
    NTMFS4935NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 49.4 nC @ 10 V ±20V 4850 pF @ 15 V - 930mW (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    5LN01C-TB-E

    5LN01C-TB-E

    MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

    onsemi

    3,954
    5LN01C-TB-E

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 100mA (Ta) 1.5V, 4V 7.8Ohm @ 50mA, 4V - 1.57 nC @ 10 V ±10V 6.6 pF @ 10 V - 250mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-59-3/CP3
    HUFA75321D3ST

    HUFA75321D3ST

    N-CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36

    Fairchild Semiconductor

    78,075
    HUFA75321D3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 10V 36mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 20 V ±20V 680 pF @ 25 V - 93W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    Total 36322 Record«Prev1... 410411412413414415416417...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.