БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NDS9405

    NDS9405

    MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    14,000
    NDS9405

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 4.5V, 10V 100mOhm @ 2A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FQPF7P06

    FQPF7P06

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220F

    Fairchild Semiconductor

    13,827
    FQPF7P06

    Техническая документация

    QFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.3A (Tc) 10V 410mOhm @ 2.65A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±25V 295 pF @ 25 V - 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SFP9634

    SFP9634

    MOSFET P-CH 250V 5A TO220-3

    Fairchild Semiconductor

    11,348
    SFP9634

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 5A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±30V 975 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    HUF76407D3

    HUF76407D3

    MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

    Fairchild Semiconductor

    11,253
    HUF76407D3

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 92mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V ±16V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    RFD20N03

    RFD20N03

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Harris Corporation

    10,550
    RFD20N03

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Tc) 10V 25mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V ±20V 1150 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    PHP45NQ11T,127

    PHP45NQ11T,127

    MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB

    NXP USA Inc.

    10,000
    PHP45NQ11T,127

    Техническая документация

    * - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GSFN3013

    GSFN3013

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -

    Good-Ark Semiconductor

    9,986
    GSFN3013

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 8A, 10V 2.9V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1480 pF @ 15 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
    SSF3912S

    SSF3912S

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 30V-

    Good-Ark Semiconductor

    8,945
    SSF3912S

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Tc) 4.5V, 10V 24mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V ±20V 500 pF @ 25 V - 1.56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    IRFU130ATU

    IRFU130ATU

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    8,698
    IRFU130ATU

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Tc) 10V 110mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 790 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    FDD8750

    FDD8750

    MOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    8,245
    FDD8750

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 40mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 250µA 9 nC @ 10 V ±20V 425 pF @ 13 V - 18W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    GSFC02A05

    GSFC02A05

    MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2

    Good-Ark Semiconductor

    7,410
    GSFC02A05

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Tc) 1.8V, 4.5V 22mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 1930 pF @ 10 V - 1.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3L
    FQD5N30TF

    FQD5N30TF

    MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK

    Fairchild Semiconductor

    6,905
    FQD5N30TF

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 4.4A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.2A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 430 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    3415A

    3415A

    P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<6

    Goford Semiconductor

    6,251
    3415A

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4A (Tc) 2.5V, 4.5V 45mOhm @ 4A, 4.5V 1.1V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±10V 950 pF @ 10 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    FQI11P06TU

    FQI11P06TU

    MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK

    Fairchild Semiconductor

    5,955
    FQI11P06TU

    Техническая документация

    QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11.4A (Tc) 10V 175mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 550 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 53W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
    SSF0910S

    SSF0910S

    MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.0A, 100V

    Good-Ark Semiconductor

    5,795
    SSF0910S

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Tc) 4.5V, 10V 200mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 1190 pF @ 50 V - 1.56W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
    BUK968R3-40E,118

    BUK968R3-40E,118

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    NXP USA Inc.

    5,996
    BUK968R3-40E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 20.9 nC @ 5 V ±10V 2600 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF710

    IRF710

    PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E

    Harris Corporation

    4,630
    IRF710

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 135 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    BUK7507-30B,127

    BUK7507-30B,127

    PFET, 75A I(D), 30V, 0.007OHM, 1

    NXP USA Inc.

    4,611
    BUK7507-30B,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 36 nC @ 10 V ±20V 2427 pF @ 25 V - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF710

    IRF710

    MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

    onsemi

    4,400
    IRF710

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    BUK7516-55A,127

    BUK7516-55A,127

    PFET, 65.7A I(D), 55V, 0.016OHM,

    NXP USA Inc.

    4,277
    BUK7516-55A,127

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 65.7A (Tc) 10V 16mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 2245 pF @ 25 V - 138W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Total 36322 Record«Prev1... 409410411412413414415416...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.