БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG 103AT-2 TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 S-562T 357
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      PJD14P10A_L2_00001

      PJD14P10A_L2_00001

      100V P-CHANNEL MOSFET

      Panjit International Inc.

      		 3,279
      Запрос на предложение
      		PJD14P10A_L2_00001

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.5A (Ta), 14A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 7A, 10V 3V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2298 pF @ 30 V - 2W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
      NTD14N03RT4G

      NTD14N03RT4G

      MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

      onsemi

      		 2,780
      Запрос на предложение
      		NTD14N03RT4G

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 2.5A (Ta) 4.5V, 10V 95mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 1.8 nC @ 5 V ±20V 115 pF @ 20 V - 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      IPD50N04S410ATMA1

      IPD50N04S410ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

      Infineon Technologies

      		 2,488
      Запрос на предложение
      		IPD50N04S410ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 10V 9.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 15µA 18.2 nC @ 10 V ±20V 1430 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
      ISP25DP06LMXTSA1

      ISP25DP06LMXTSA1

      MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

      Infineon Technologies

      		 1,229
      Запрос на предложение
      		ISP25DP06LMXTSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.9A (Ta) 4.5V, 10V 250mOhm @ 1.9A, 10V 2V @ 270µA 13.9 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 30 V - 1.8W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4
      RQ5L035GNTCL

      RQ5L035GNTCL

      MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3

      Rohm Semiconductor

      		 5,684
      Запрос на предложение
      		RQ5L035GNTCL

      Техническая документация

             		- SC-96 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3.5A, 10V 2.7V @ 50µA 7.3 nC @ 10 V ±20V 375 pF @ 30 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT3
      NVD3055-150T4G-VF01

      NVD3055-150T4G-VF01

      MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

      onsemi

      		 4,775
      Запрос на предложение
      		NVD3055-150T4G-VF01

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta) 10V 150mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
      IPN60R600P7SATMA1

      IPN60R600P7SATMA1

      MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

      Infineon Technologies

      		 3,616
      Запрос на предложение
      		IPN60R600P7SATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 1.7A, 10V 4V @ 80µA 9 nC @ 10 V ±20V 363 pF @ 400 V - 7W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223
      BUK9Y41-80E,115

      BUK9Y41-80E,115

      MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 2,133
      Запрос на предложение
      		BUK9Y41-80E,115

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 24A (Tc) 5V, 10V 41mOhm @ 5A, 10V 2.1V @ 1mA 11.9 nC @ 5 V ±10V 1570 pF @ 25 V - 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      PSMN6R1-30YLDX

      PSMN6R1-30YLDX

      MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 2,088
      Запрос на предложение
      		PSMN6R1-30YLDX

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 66A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 1mA 13.6 nC @ 10 V ±20V 817 pF @ 15 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      ZVNL110ASTZ

      ZVNL110ASTZ

      MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

      Diodes Incorporated

      		 2,000
      Запрос на предложение
      		ZVNL110ASTZ

      Техническая документация

             		- E-Line-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 320mA (Ta) 5V, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 1.5V @ 1mA - ±20V 75 pF @ 25 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
      ZXMN2B03E6TA

      ZXMN2B03E6TA

      MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6

      Diodes Incorporated

      		 1,707
      Запрос на предложение
      		ZXMN2B03E6TA

      Техническая документация

             		- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 4.3A, 4.5V 1V @ 250µA 14.5 nC @ 4.5 V ±8V 1160 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6
      DMN3009SFG-7

      DMN3009SFG-7

      MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

      Diodes Incorporated

      		 144
      Запрос на предложение
      		DMN3009SFG-7

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta), 45A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 15 V - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
      IPP65R225C7XKSA1

      IPP65R225C7XKSA1

      MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 160
      Запрос на предложение
      		IPP65R225C7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 225mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 240µA 20 nC @ 10 V ±20V 996 pF @ 400 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      TPN2R903PL,L1Q

      TPN2R903PL,L1Q

      MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 36,136
      Запрос на предложение
      		TPN2R903PL,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSIX-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 35A, 10V 2.1V @ 200µA 26 nC @ 10 V ±20V 2300 pF @ 15 V - 630mW (Ta), 75W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
      IPD70R1K4CEAUMA1

      IPD70R1K4CEAUMA1

      MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 14,900
      Запрос на предложение
      		IPD70R1K4CEAUMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 5.4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 130µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 225 pF @ 100 V - 53W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      RTR020P02HZGTL

      RTR020P02HZGTL

      MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

      Rohm Semiconductor

      		 14,111
      Запрос на предложение
      		RTR020P02HZGTL

      Техническая документация

             		- SC-96 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2A (Ta) 2.5V, 4.5V 135mOhm @ 2A, 4.5V 2V @ 1mA 4.9 nC @ 4.5 V ±12V 430 pF @ 10 V - 700mW (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT3
      DMP1007UCB9-7

      DMP1007UCB9-7

      MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9

      Diodes Incorporated

      		 6,836
      Запрос на предложение
      		DMP1007UCB9-7

      Техническая документация

             		- 9-UFBGA, WLBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 13.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 5.7mOhm @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V ±6V 900 pF @ 4 V - 840mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount U-WLB1515-9 (Type C)
      NTTFS6H854NLTAG

      NTTFS6H854NLTAG

      MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

      onsemi

      		 3,394
      Запрос на предложение
      		NTTFS6H854NLTAG

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 902 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
      SI4134DY-T1-E3

      SI4134DY-T1-E3

      MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 3,214
      Запрос на предложение
      		SI4134DY-T1-E3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Tc) 10V 14mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 846 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      IPD25DP06NMATMA1

      IPD25DP06NMATMA1

      MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,475
      Запрос на предложение
      		IPD25DP06NMATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.5A (Tc) 10V 250mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 270µA 10.6 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 30 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
      Total 36322 Record«Prev1234567...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]