БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTTS2P03R2

    NTTS2P03R2

    MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8

    onsemi

    4,524
    NTTS2P03R2

    Техническая документация

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.1A (Ta) 4.5V, 10V 85mOhm @ 2.48A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V ±20V 500 pF @ 24 V - 600mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MSOP
    MCH3416-TL-E

    MCH3416-TL-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    150,000
    MCH3416-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH3421-TL-E

    MCH3421-TL-E

    MOSFET N-CH 100V 800MA 3MCPH

    onsemi

    141,000
    MCH3421-TL-E

    Техническая документация

    - 3-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 800mA (Ta) - 890mOhm @ 400mA, 10V - 4.8 nC @ 10 V - 165 pF @ 20 V - 900mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-MCPH
    MCH3377-S-TL-E

    MCH3377-S-TL-E

    MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3

    onsemi

    129,000
    MCH3377-S-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    BSH205,215

    BSH205,215

    MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB

    NXP USA Inc.

    3,907
    BSH205,215

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 750mA (Ta) 1.8V, 4.5V 400mOhm @ 430mA, 4.5V 680mV @ 1mA (Typ) 3.8 nC @ 4.5 V ±8V 200 pF @ 9.6 V - 417mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
    PMFPB8040XP,115

    PMFPB8040XP,115

    MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

    NXP USA Inc.

    98,223
    PMFPB8040XP,115

    Техническая документация

    - 6-UFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.7A (Ta) 1.8V, 4.5V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 8.6 nC @ 4.5 V ±12V 550 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-HUSON (2x2)
    CPH3407-TL-E

    CPH3407-TL-E

    MOSFET N-CH

    Sanyo

    96,000
    CPH3407-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NDS356AP-NB8L005A

    NDS356AP-NB8L005A

    -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN

    onsemi

    94,589
    NDS356AP-NB8L005A

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    PMZ250UN,315

    PMZ250UN,315

    MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883

    NXP USA Inc.

    83,637
    PMZ250UN,315

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    CPH6316-TL-E

    CPH6316-TL-E

    PCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    81,000
    CPH6316-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MMDFS3P303R2

    MMDFS3P303R2

    P-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    77,500
    MMDFS3P303R2

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MCH3383-TL-H

    MCH3383-TL-H

    MOSFET P-CH 12V 3.5A SC70

    Sanyo

    75,417
    MCH3383-TL-H

    Техническая документация

    - 3-SMD, Flat Leads Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 3.5A (Ta) - 69mOhm @ 1.5A, 2.5V 800mV @ 1mA 6.2 nC @ 2.5 V ±5V 1010 pF @ 6 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70FL/MCPH3
    NTD3817NT4G

    NTD3817NT4G

    MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A DPAK

    onsemi

    3,965
    NTD3817NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 10.5 nC @ 4.5 V ±16V 702 pF @ 12 V - 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SPD1305NL

    SPD1305NL

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    75,000
    SPD1305NL

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NDS356AP-NB8L005A

    NDS356AP-NB8L005A

    -30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN

    Fairchild Semiconductor

    73,580
    NDS356AP-NB8L005A

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.1A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    2SK3486-TD-E

    2SK3486-TD-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    69,000
    2SK3486-TD-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTD4809NH-35G

    NTD4809NH-35G

    MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

    onsemi

    6,101
    NTD4809NH-35G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 2155 pF @ 12 V - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    NTLJS3113PTAG

    NTLJS3113PTAG

    MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN

    onsemi

    8,613
    NTLJS3113PTAG

    Техническая документация

    - 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.5A (Ta) 1.5V, 4.5V 40mOhm @ 3A, 4.5V 1V @ 250µA 15.7 nC @ 4.5 V ±8V 1329 pF @ 16 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
    NTD4910NT4G

    NTD4910NT4G

    MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A DPAK

    onsemi

    6,764
    NTD4910NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.2A (Ta), 37A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15.4 nC @ 10 V ±20V 1203 pF @ 15 V - 1.37W (Ta), 27.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SPU08N05L

    SPU08N05L

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Infineon Technologies

    54,000
    SPU08N05L

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 356357358359360361362363...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.