БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    2SJ463A(0)-T1-A

    2SJ463A(0)-T1-A

    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    123,000
    2SJ463A(0)-T1-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3292-TD-E

    2SK3292-TD-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    122,000
    2SK3292-TD-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDFC2P100

    FDFC2P100

    MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6

    Fairchild Semiconductor

    115,946
    FDFC2P100

    Техническая документация

    PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 150mOhm @ 3A, 4.5V 1.5V @ 250µA 4.7 nC @ 10 V ±12V 445 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6
    MCH3377-TL-H

    MCH3377-TL-H

    MOSFET P-CH 3A 20V MCPH3

    onsemi

    110,764
    MCH3377-TL-H

    Техническая документация

    - SC-70, SOT-323 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3A (Ta) - 83mOhm @ 1.5A, 4.5V - 4.6 nC @ 4.5 V - 375 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 3-MCPH
    3LN03M-TL-E

    3LN03M-TL-E

    N-CHANNEL SILICON MOSFET

    Sanyo

    99,000
    3LN03M-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK1848-TB-E

    2SK1848-TB-E

    NCH 4V DRIVE SERIES

    onsemi

    96,000
    2SK1848-TB-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MTSF3N02HDR2

    MTSF3N02HDR2

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    onsemi

    88,000
    MTSF3N02HDR2

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3749(91)-T1-A

    2SK3749(91)-T1-A

    SMALL SIGNAL FET

    Renesas Electronics Corporation

    87,000
    2SK3749(91)-T1-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    FDG312P

    FDG312P

    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

    Fairchild Semiconductor

    82,077
    FDG312P

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 180mOhm @ 1.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V ±8V 330 pF @ 10 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
    NDS335N

    NDS335N

    MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

    Fairchild Semiconductor

    64,643
    NDS335N

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V 1V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V 8V 240 pF @ 10 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    CPH6603-TL-E

    CPH6603-TL-E

    P-CHANNEL SILICON MOSFET

    onsemi

    60,000
    CPH6603-TL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SK3378ENTL-E

    2SK3378ENTL-E

    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    57,699
    2SK3378ENTL-E

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    2SJ463A(91)-T1-A

    2SJ463A(91)-T1-A

    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    57,000
    2SJ463A(91)-T1-A

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRFS614B

    IRFS614B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    46,499
    IRFS614B

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.8A (Tj) 10V 2Ohm @ 1.4A, 10V 4V @ 250µA 10.5 nC @ 10 V ±30V 275 pF @ 25 V - 22W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    NTD85N02RT4

    NTD85N02RT4

    MOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAK

    onsemi

    5,419
    NTD85N02RT4

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 17.7 nC @ 5 V ±20V 2050 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDN363N

    FDN363N

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    42,602
    FDN363N

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 1A (Tc) 6V, 10V 240mOhm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 500mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-3
    NTD85N02R-001

    NTD85N02R-001

    MOSFET N-CH 24V 12A/85A IPAK

    onsemi

    5,748
    NTD85N02R-001

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 17.7 nC @ 5 V ±20V 2050 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    2SJ463A(0)-T1-AT

    2SJ463A(0)-T1-AT

    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    36,000
    2SJ463A(0)-T1-AT

    Техническая документация

    * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF710B

    IRF710B

    N-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    29,593
    IRF710B

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 2A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTMS4800NR2G

    NTMS4800NR2G

    MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC

    onsemi

    2,483
    NTMS4800NR2G

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.9A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 7.5A, 10V 3V @ 250µA 7.7 nC @ 4.5 V ±20V 940 pF @ 25 V - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    Total 36322 Record«Prev1... 353354355356357358359360...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.