БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP011N03LF2SAKSA1

    IPP011N03LF2SAKSA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    944
    IPP011N03LF2SAKSA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 46A (Ta), 210A (Tc) 4.5V, 10V 1.05mOhm @ 100A, 10V 2.35V @ 250µA 336 nC @ 10 V ±20V 15100 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-U05
    XP9575GH

    XP9575GH

    MOSFET P-CH 60V 15A TO252

    YAGEO XSEMI

    923
    XP9575GH

    Техническая документация

    XP9575 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 15A (Tc) 4.5V, 10V 90mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±25V 2660 pF @ 25 V - 31.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SIHF530STRL-GE3

    SIHF530STRL-GE3

    MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

    Vishay Siliconix

    700
    SIHF530STRL-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6004END4TL1

    R6004END4TL1

    600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P

    Rohm Semiconductor

    3,881
    R6004END4TL1

    Техническая документация

    - TO-261-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 980mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 9.1W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-3
    NVTYS040N10MCLTWG

    NVTYS040N10MCLTWG

    PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3

    onsemi

    3,000
    NVTYS040N10MCLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 40.9mOhm @ 5A, 10V 3V @ 27µA 8.6 nC @ 10 V ±20V 564 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    SIHF9520S-GE3

    SIHF9520S-GE3

    MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    688
    SIHF9520S-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    DMT10H009LSS-13

    DMT10H009LSS-13

    MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R

    Diodes Incorporated

    7,346
    DMT10H009LSS-13

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 40.2 nC @ 10 V ±20V 2309 pF @ 50 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    NVTYS003N03CLTWG

    NVTYS003N03CLTWG

    T6 30V N-CH LL IN LFPAK33

    onsemi

    2,998
    NVTYS003N03CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Ta), 98A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1870 pF @ 15 V - 3W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMYS013N08LHTWG

    NVMYS013N08LHTWG

    T8 80V LL LFPAK

    onsemi

    1,088
    NVMYS013N08LHTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 13.1mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 906 pF @ 40 V - 3.6W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    MCAC85N04YHE3-TP

    MCAC85N04YHE3-TP

    MOSFET N-CH 40 85A DFN5060

    Micro Commercial Co

    10,000
    MCAC85N04YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 85A (Tc) 10V 6mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 20 V ±20V 1171 pF @ 25 V - 100W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060
    SIJA54DP-T1-GE3

    SIJA54DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    9,488
    SIJA54DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 2.35mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 104 nC @ 10 V +20V, -16V 5300 pF @ 20 V - 36.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    MCU7D5N10YL-TP

    MCU7D5N10YL-TP

    N-CHANNEL MOSFET,DPAK

    Micro Commercial Co

    4,955
    MCU7D5N10YL-TP

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 50 V - 104W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    RF9L120BJFRATCR

    RF9L120BJFRATCR

    PCH -60V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO

    Rohm Semiconductor

    3,000
    RF9L120BJFRATCR

    Техническая документация

    - 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 4.5V, 10V 106mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 273µA 15.7 nC @ 10 V +5V, -20V 710 pF @ 30 V - 23W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN2020Y7LSAA
    PJQ5453E-AU_R2_002A1

    PJQ5453E-AU_R2_002A1

    40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,963
    PJQ5453E-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12.8A (Ta), 61A (Tc) 4.5V, 10V 11.3mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±25V 2858 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
    XP65AN1K2IT

    XP65AN1K2IT

    MOSFET N-CH 650V 7A TO220CFM

    YAGEO XSEMI

    989
    XP65AN1K2IT

    Техническая документация

    XP65AN1K2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 44.8 nC @ 10 V ±30V 2048 pF @ 100 V - 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220CFM
    IRFBC20PBF-BE3

    IRFBC20PBF-BE3

    MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB

    Vishay Siliconix

    972
    IRFBC20PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    PJQ5462A-AU_R2_000A1

    PJQ5462A-AU_R2_000A1

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    5,336
    PJQ5462A-AU_R2_000A1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.5A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2142 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 71.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
    DMT32M5LFG-13

    DMT32M5LFG-13

    MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

    Diodes Incorporated

    2,692
    DMT32M5LFG-13

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 67.7 nC @ 10 V ±20V 4066 pF @ 15 V - 2.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI3333-8
    DMP3015LSSQ-13

    DMP3015LSSQ-13

    MOSFET P-CH 30V 13A 8SO

    Diodes Incorporated

    2,483
    DMP3015LSSQ-13

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 13A, 10V 2V @ 250µA 60.4 nC @ 10 V ±20V 2748 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPD023N03LF2SATMA1

    IPD023N03LF2SATMA1

    IPD023N03LF2SATMA1

    Infineon Technologies

    2,000
    IPD023N03LF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 137A (Tc) 4.5V, 10V 2.35mOhm @ 70A, 10V 2.35V @ 60µA 36 nC @ 4.5 V ±20V 3400 pF @ 15 V - 3W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-34
    Total 36322 Record«Prev1... 253254255256257258259260...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.