БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD65R420CFDATMA1

    IPD65R420CFDATMA1

    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,019
    IPD65R420CFDATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD65R600E6ATMA1

    IPD65R600E6ATMA1

    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    5,457
    IPD65R600E6ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 3.5V @ 210µA 23 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD65R660CFDATMA1

    IPD65R660CFDATMA1

    MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,229
    IPD65R660CFDATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD65R950CFDATMA1

    IPD65R950CFDATMA1

    MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3

    Infineon Technologies

    8,775
    IPD65R950CFDATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 3.9A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 200µA 14.1 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 100 V - 36.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPI80N06S208AKSA2

    IPI80N06S208AKSA2

    MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    3,188
    IPI80N06S208AKSA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    IPP80N04S2H4AKSA2

    IPP80N04S2H4AKSA2

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,616
    IPP80N04S2H4AKSA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S208AKSA2

    IPP80N06S208AKSA2

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    6,518
    IPP80N06S208AKSA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPP80N06S209AKSA2

    IPP80N06S209AKSA2

    MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,742
    IPP80N06S209AKSA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 9.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 125µA 80 nC @ 10 V ±20V 2360 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    IPU60R1K0CEAKMA1

    IPU60R1K0CEAKMA1

    MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3

    Infineon Technologies

    5,157
    IPU60R1K0CEAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.3A (Tc) - 1Ohm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V - 280 pF @ 100 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    IPU60R1K5CEAKMA1

    IPU60R1K5CEAKMA1

    MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3

    Infineon Technologies

    4,559
    IPU60R1K5CEAKMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.1A (Tc) - 1.5Ohm @ 1.1A, 10V 3.5V @ 90µA 9.4 nC @ 10 V - 200 pF @ 100 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
    FDMS9411-F085

    FDMS9411-F085

    MOSFET N-CH 40V 30A POWER56

    onsemi

    5,324
    FDMS9411-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 10V 7.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 20 V - 68.2W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount Power56
    2SK1518-E

    2SK1518-E

    MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

    Renesas Electronics Corporation

    2,942
    2SK1518-E

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Ta) 10V 270mOhm @ 10A, 10V - - ±30V 3050 pF @ 10 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    2SK3430-AZ

    2SK3430-AZ

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

    Renesas Electronics Corporation

    4,742
    2SK3430-AZ

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4V, 10V 7.3mOhm @ 40A, 10V - 50 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 84W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK3430-Z-E1-AZ

    2SK3430-Z-E1-AZ

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

    Renesas Electronics Corporation

    4,882
    2SK3430-Z-E1-AZ

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4V, 10V 7.3mOhm @ 40A, 10V - 50 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 84W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK3431-AZ

    2SK3431-AZ

    MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

    Renesas Electronics Corporation

    8,185
    2SK3431-AZ

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 83A (Tc) 4V, 10V 5.6mOhm @ 42A, 10V - 110 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    2SK3431-Z-E1-AZ

    2SK3431-Z-E1-AZ

    MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

    Renesas Electronics Corporation

    8,280
    2SK3431-Z-E1-AZ

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 83A (Tc) 4V, 10V 5.6mOhm @ 42A, 10V - 110 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 10 V - 1.5W (Ta), 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    H7N1002LS-E

    H7N1002LS-E

    MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK

    Renesas Electronics Corporation

    6,844
    H7N1002LS-E

    Техническая документация

    - SC-83 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 37.5A, 10V - 155 nC @ 10 V ±20V 9700 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
    H7N1002LSTL-E

    H7N1002LSTL-E

    MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK

    Renesas Electronics Corporation

    7,380
    H7N1002LSTL-E

    Техническая документация

    - SC-83 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 37.5A, 10V - 155 nC @ 10 V ±20V 9700 pF @ 10 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
    HAT2131R-EL-E

    HAT2131R-EL-E

    MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    6,368
    HAT2131R-EL-E

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 900mA (Ta) 4V, 10V 3Ohm @ 450mA, 10V - 20 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HAT2287WP-EL-E

    HAT2287WP-EL-E

    MOSFET N-CH 200V 17A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    7,700
    HAT2287WP-EL-E

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Ta) 10V 94mOhm @ 8.5A, 10V - 26 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 25 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK (3)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.