БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      FCH072N60F-F085

      FCH072N60F-F085

      MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

      onsemi

      		 4,730
      Запрос на предложение
      		FCH072N60F-F085

      Техническая документация

             		SuperFET® II TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 52A (Tc) 10V 72mOhm @ 26A, 10V 5V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 6330 pF @ 100 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
      DMP2006UFG-13

      DMP2006UFG-13

      MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI

      Diodes Incorporated

      		 2,633
      Запрос на предложение
      		DMP2006UFG-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 17.5A (Ta), 40A (Tc) 1.5V, 4.5V 5.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±10V 7500 pF @ 10 V - 2.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI3333-8
      DMP213DUFA-7B

      DMP213DUFA-7B

      MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN

      Diodes Incorporated

      		 4,976
      Запрос на предложение
      		DMP213DUFA-7B

      Техническая документация

             		- 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 145mA (Ta) 2.7V, 4.5V 10Ohm @ 200mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 0.35 nC @ 4.5 V -8V 27.2 pF @ 10 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X2-DFN0806-3
      STP185N10F3

      STP185N10F3

      MOSFET N-CH 100V 120A TO220

      STMicroelectronics

      		 6,982
      Запрос на предложение
      		STP185N10F3

      Техническая документация

             		STripFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA - ±20V - - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      STP80NF55

      STP80NF55

      MOSFET N-CH 55V 80A TO220

      STMicroelectronics

      		 9,979
      Запрос на предложение
      		STP80NF55

      Техническая документация

             		* TO-220-3 Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220
      FDMS9408-F085

      FDMS9408-F085

      MOSFET N-CH 40V 80A POWER56

      onsemi

      		 2,953
      Запрос на предложение
      		FDMS9408-F085

      Техническая документация

             		PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 5120 pF @ 25 V - 214W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount Power56
      APT50MC120JCU2

      APT50MC120JCU2

      MOSFET N-CH 1200V 71A SOT227

      Microchip Technology

      		 6,825
      Запрос на предложение
      		APT50MC120JCU2

      Техническая документация

             		- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 71A (Tc) 20V 34mOhm @ 50A, 20V 2.3V @ 1mA (Typ) 179 nC @ 20 V +25V, -10V 2980 pF @ 1000 V - 300W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
      IPD50R280CEATMA1

      IPD50R280CEATMA1

      MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 7,270
      Запрос на предложение
      		IPD50R280CEATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V 773 pF @ 100 V - 119W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD50R500CEATMA1

      IPD50R500CEATMA1

      MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 5,872
      Запрос на предложение
      		IPD50R500CEATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.6A (Tc) 13V 500mOhm @ 2.3A, 13V 3.5V @ 200µA 18.7 nC @ 10 V ±20V 433 pF @ 100 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD50R650CEATMA1

      IPD50R650CEATMA1

      MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 5,552
      Запрос на предложение
      		IPD50R650CEATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6.1A (Tc) 13V 650mOhm @ 1.8A, 13V 3.5V @ 150µA 15 nC @ 10 V ±20V 342 pF @ 100 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD50R800CEATMA1

      IPD50R800CEATMA1

      MOSFET N CH 500V 5A TO252

      Infineon Technologies

      		 8,146
      Запрос на предложение
      		IPD50R800CEATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 13V 800mOhm @ 1.5A, 13V 3.5V @ 130µA 12.4 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD50R950CEATMA1

      IPD50R950CEATMA1

      MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 6,073
      Запрос на предложение
      		IPD50R950CEATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CE TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.3A (Tc) 13V 950mOhm @ 1.2A, 13V 3.5V @ 100µA 10.5 nC @ 10 V ±20V 231 pF @ 100 V - 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPD60R750E6ATMA1

      IPD60R750E6ATMA1

      MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 3,929
      Запрос на предложение
      		IPD60R750E6ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ E6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2A, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 nC @ 10 V ±20V 373 pF @ 100 V - 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      IPU60R600C6AKMA1

      IPU60R600C6AKMA1

      MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

      Infineon Technologies

      		 7,425
      Запрос на предложение
      		IPU60R600C6AKMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C6 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
      IPU60R950C6AKMA1

      IPU60R950C6AKMA1

      MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251-3

      Infineon Technologies

      		 7,339
      Запрос на предложение
      		IPU60R950C6AKMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C6 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.4A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 130µA 13 nC @ 10 V ±20V 280 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
      IPB77N06S212ATMA2

      IPB77N06S212ATMA2

      MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 4,419
      Запрос на предложение
      		IPB77N06S212ATMA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 77A (Tc) 10V 11.7mOhm @ 38A, 10V 4V @ 93µA 60 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      IPB80N06S207ATMA4

      IPB80N06S207ATMA4

      MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 6,079
      Запрос на предложение
      		IPB80N06S207ATMA4

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 6.3mOhm @ 68A, 10V 4V @ 180µA 110 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      IPB80N06S208ATMA2

      IPB80N06S208ATMA2

      MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 7,139
      Запрос на предложение
      		IPB80N06S208ATMA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 7.7mOhm @ 58A, 10V 4V @ 150µA 96 nC @ 10 V ±20V 2860 pF @ 25 V - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      IPB80N06S2L09ATMA2

      IPB80N06S2L09ATMA2

      MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 7,459
      Запрос на предложение
      		IPB80N06S2L09ATMA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 52A, 10V 2V @ 125µA 105 nC @ 10 V ±20V 2620 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      IPD65R1K4CFDATMA1

      IPD65R1K4CFDATMA1

      MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 5,879
      Запрос на предложение
      		IPD65R1K4CFDATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 2.8A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±20V 262 pF @ 100 V - 28.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      Total 36322 Record«Prev1... 17061707170817091710171117121713...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]