БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AUIRFS4115-7TRL

    AUIRFS4115-7TRL

    MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,394
    AUIRFS4115-7TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5320 pF @ 50 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRFB7746PBF

    IRFB7746PBF

    MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,425
    IRFB7746PBF

    Техническая документация

    StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 59A (Tc) 6V, 10V 10.6mOhm @ 35A, 10V 3.7V @ 100µA 83 nC @ 10 V ±20V 3049 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB7787PBF

    IRFB7787PBF

    MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,943
    IRFB7787PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 76A (Tc) 6V, 10V 8.4mOhm @ 46A, 10V 3.7V @ 100µA 109 nC @ 10 V ±20V 4020 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFSL7430PBF

    IRFSL7430PBF

    MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,442
    IRFSL7430PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 460 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFSL7434PBF

    IRFSL7434PBF

    MOSFET N-CH 40V 195A TO262

    Infineon Technologies

    5,380
    IRFSL7434PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 6V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 nC @ 10 V ±20V 10820 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFSL7530PBF

    IRFSL7530PBF

    MOSFET N-CH 60V 195A TO262

    Infineon Technologies

    9,575
    IRFSL7530PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 411 nC @ 10 V ±20V 13703 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262
    IRFSL7534PBF

    IRFSL7534PBF

    MOSFET N-CH 60V 195A TO262

    Infineon Technologies

    5,735
    IRFSL7534PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 279 nC @ 10 V ±20V 10034 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-262
    IRFSL7787PBF

    IRFSL7787PBF

    MOSFET N-CH 75V 76A TO262

    Infineon Technologies

    5,949
    IRFSL7787PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 76A (Tc) 6V, 10V 8.4mOhm @ 46A, 10V 3.7V @ 100µA 109 nC @ 10 V ±20V 4020 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRLS3813TRLPBF

    IRLS3813TRLPBF

    MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,542
    IRLS3813TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 160A (Tc) 10V 1.95mOhm @ 148A, 10V 2.35V @ 150µA 83 nC @ 4.5 V ±20V 8020 pF @ 25 V - 195W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
    AOT10T60PL

    AOT10T60PL

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    8,863
    AOT10T60PL

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V 700mOhm @ 5A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1595 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    PSMN8R5-108ESQ

    PSMN8R5-108ESQ

    MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

    NXP USA Inc.

    2,690
    PSMN8R5-108ESQ

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 108 V 100A (Tj) 10V 8.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 111 nC @ 10 V ±20V 5512 pF @ 50 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    TK10A60E,S5X

    TK10A60E,S5X

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,862
    TK10A60E,S5X

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 750mOhm @ 5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    TK12A50E,S5X

    TK12A50E,S5X

    MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,238
    TK12A50E,S5X

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 520mOhm @ 6A, 10V 4V @ 1.2mA 40 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 25 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
    BUK761R5-40EJ

    BUK761R5-40EJ

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    NXP USA Inc.

    6,607
    BUK761R5-40EJ

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.51mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 145 nC @ 10 V ±20V 11340 pF @ 25 V - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    2SJ652-1E

    2SJ652-1E

    MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG

    onsemi

    8,321
    2SJ652-1E

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Ta) 4V, 10V 38mOhm @ 14A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 4360 pF @ 20 V - 2W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3SG
    2SJ661-1E

    2SJ661-1E

    MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3

    onsemi

    3,786
    2SJ661-1E

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 38A (Ta) 4V, 10V 39mOhm @ 19A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 4360 pF @ 20 V - 1.65W (Ta), 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    2SK3703-1E

    2SK3703-1E

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220F-3SG

    onsemi

    7,965
    2SK3703-1E

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) 4V, 10V 26mOhm @ 15A, 10V - 40 nC @ 10 V ±20V 1780 pF @ 20 V - 2W (Ta), 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3SG
    2SK3707-1E

    2SK3707-1E

    MOSFET N-CH 100V 20A TO220F-3SG

    onsemi

    2,467
    2SK3707-1E

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 4V, 10V 60mOhm @ 10A, 10V - 44 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 20 V - 2W (Ta), 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3SG
    2SK3745LS-1E

    2SK3745LS-1E

    MOSFET N-CH 1500V 2A TO220F-3FS

    onsemi

    2,441
    2SK3745LS-1E

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 2A (Ta) 10V 13Ohm @ 1A, 10V - 37.5 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 30 V - 2W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3FS
    2SK3746-1E

    2SK3746-1E

    MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L

    onsemi

    2,807
    2SK3746-1E

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1500 V 2A (Ta) 10V 13Ohm @ 1A, 10V - 37.5 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P-3L
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.